1、ZnO作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料已經(jīng)得到廣泛研究。通過制備不同形貌 ZnO納米材料、ZnO基復(fù)合材料可以充分利用納米材料的優(yōu)點(diǎn)，從而改善 ZnO材料的性能。本論文主要工作內(nèi)容如下：
　　（1）采用溶劑熱法，通過調(diào)節(jié)水和乙醇混合液的比例制備了多種形貌的ZnO微米結(jié)構(gòu)。從我們的實(shí)驗(yàn)上可以得出結(jié)論：ZnO的光學(xué)性質(zhì)與其展現(xiàn)的形貌息息相關(guān)，形貌差異能夠引起 ZnO局部的結(jié)晶質(zhì)量不同，界面上的缺陷情況，材料表面的電荷分布等差異，以上因素的協(xié)

2、同作用最終影響了材料的光學(xué)性質(zhì)。
　?。?）通過簡(jiǎn)單無催化的低溫水浴方法合成多枝ZnO納米/微米結(jié)構(gòu)，這種由梭形納米/微米棒主干組成的納米/微米結(jié)構(gòu)周圍圍繞著六個(gè)徑向?qū)虻姆种А１疚姆治隽似涔鈱W(xué)性質(zhì)并詳盡地探討了可能的生長(zhǎng)機(jī)理。
　　（3）利用操作簡(jiǎn)單的電化學(xué)沉積法制備海膽狀ZnO/In2O3納米復(fù)合結(jié)構(gòu)。退火后復(fù)合材料結(jié)晶性改善的同時(shí)，紫外發(fā)光增強(qiáng)，并在443nm觀測(cè)到與ZnO/In2O3納米復(fù)合結(jié)構(gòu)界面有關(guān)的發(fā)光峰。