1、本文對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的非線性模型展開了研究，提出了一種簡(jiǎn)單有效的場(chǎng)效應(yīng)管非線性建模方法。所做的工作主要包括以下幾個(gè)方面:
　　1、建立了MGF4961B場(chǎng)效應(yīng)管的模型，實(shí)現(xiàn)了模型參數(shù)的提取。場(chǎng)效應(yīng)管的模型包括無(wú)源三維電磁模型和有源非線性參數(shù)模型兩部分:
　　(1)建立場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)源線性三維電磁仿真模型。本文以型號(hào)為MGF4961B的砷化鎵高遷移率晶體管(GaAs HEMT)為研究和建模對(duì)象，在HFSS三維電磁仿真軟件中重構(gòu)晶體管內(nèi)部

2、無(wú)源部分的結(jié)構(gòu)，建立了場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)源部分的三維電磁仿真模型，并通過(guò)仿真測(cè)試出無(wú)源部分的頻率響應(yīng)特性。
　　(2)建立了晶體管有源非線性參數(shù)模型。首先選擇合適的非線性模型的經(jīng)驗(yàn)公式，結(jié)合晶體管生產(chǎn)廠商提供的參考數(shù)據(jù)，由晶體管I-V特性估算出晶體管電壓和電流的數(shù)據(jù)，通過(guò)數(shù)據(jù)擬合的方法提取經(jīng)驗(yàn)公式中的未知待定參數(shù);
　　(3)將有源非線性參數(shù)模型和無(wú)源線性模型相結(jié)合，通過(guò)綜合優(yōu)化仿真，使得所建模型的頻率響應(yīng)性能（S參數(shù)特性）和數(shù)據(jù)手

3、冊(cè)中提供的實(shí)際測(cè)量數(shù)據(jù)盡量接近，確定最終的完整的晶體管模型。
　　2、場(chǎng)效應(yīng)管模型準(zhǔn)確性的驗(yàn)證。利用所建場(chǎng)效應(yīng)管模型設(shè)計(jì)、制作了一個(gè)Ku波段的有源二倍頻器。該二次倍頻電路的輸入頻率6GHz，輸出頻率12GHz。通過(guò)將倍頻電路的測(cè)試結(jié)果和仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比發(fā)現(xiàn)，倍頻電路的測(cè)試性能與仿真結(jié)果吻合，從而說(shuō)明所建模型比較準(zhǔn)確。為進(jìn)一步確認(rèn)模型的準(zhǔn)確性，本文設(shè)計(jì)、制作了兩組實(shí)驗(yàn)電路，分別使其仿真的諧波抑制或駐波的性能較差，在相同環(huán)境（同樣的儀