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![低輻射DGS結構的研究及其在微波電路中的應用.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/18/ee121cb0-7636-4f34-8f29-4dc39d2216d0/ee121cb0-7636-4f34-8f29-4dc39d2216d01.gif)
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文檔簡介
1、缺陷地結構(Defected Ground Structure,簡稱DGS結構)是在微帶線的金屬接地面上腐蝕一定形狀的圖案,腐蝕的圖案影響了接地平面的電流分布,導致了包括有效電容和有效電感在內(nèi)的傳輸線性能的改變。DGS結構由于具有禁帶特性、高阻抗特性、慢波特性等優(yōu)良電路性能而被廣泛應用到了微波電路中,但是由于DGS結構的應用,造成了接地面不完整,產(chǎn)生較大的輻射電場,所以降低DGS結構產(chǎn)生的無意發(fā)射對周圍電路性能的影響具有實際意義。
2、> 本文圍繞低輻射DGS結構開展如下工作:
1、對DGS結構的電路性能進行詳細分析。介紹了一種DGS結構的等效電路模型,運用電路分析的原理提取該等效電路的參數(shù)。介紹了電磁兼容的基本知識,分析如何降低DGS結構的近場輻射。仿真分析了在具有相同電路性能時,幾種常見DGS結構的近場電場輻射性能。
2、設計出兩款具有低輻射的 DGS結構,分別是鋸齒形低輻射 DGS結構和高阻抗低輻射DGS結構。詳細分析了這兩種低輻射DGS結
3、構的電路性能和近場輻射性能。將這兩種低輻射DGS結構與傳統(tǒng)的DGS結構作了比較,仿真結果表明低輻射DGS結構在達到相同電路性能時,具有更低的近場電場強度。
3、對這兩款低輻射DGS結構做了串擾分析,并與傳統(tǒng)的DGS結構和完整接地面時作比較,結果表明在達到相同電路性能時,低輻射DGS結構的近遠端串擾小于傳統(tǒng)DGS結構。
4、將這兩款低輻射DGS結構應用到微波電路中。利用鋸齒形低輻射DGS結構的禁帶特性設計出了一款低近場
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