1、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)由于其較高的開關(guān)速度、較低的功率損耗以及易于控制和驅(qū)動(dòng)而廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。盡管三十年來IGBT技術(shù)不斷發(fā)展,性能不斷提升,但國內(nèi)IGBT芯片的設(shè)計(jì)與制造還處于起步階段。極大的市場需求與落后的制造水平成為國內(nèi)IGBT。領(lǐng)域的突出矛盾,但同時(shí)也是我國發(fā)展IGBT產(chǎn)業(yè)的巨大動(dòng)力。
　　 本文從IGBT基本工作原理出發(fā),闡述了IGBT

2、的發(fā)展歷程,并通過解剖市場現(xiàn)有IGBT芯片,清晰的展示了IGBT芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)。文中主要使用Silvaco公司的TCAD軟件進(jìn)行仿真工作,研究了器件結(jié)構(gòu)對器件特性的影響,基于此設(shè)計(jì)了一款1200V非穿通型IGBT結(jié)構(gòu),主要包括元胞設(shè)計(jì)和終端設(shè)計(jì),同時(shí)結(jié)合當(dāng)前國內(nèi)工藝條件水平,本文還設(shè)計(jì)了IGBT的工藝制造流程以及IGBT芯片版圖。通過以上工作,本文基本覆蓋了IGBT芯片設(shè)計(jì)的全部流程。
　　 在文章最后部分,分析比較了目前硅單晶制