1、 隨著集成電路技術的發(fā)展，新工藝不斷出現(xiàn)，特征尺寸不斷減小，ESD 保護結構的設計面臨更多挑戰(zhàn)。因此深入研究 GGNMOS ESD 防護特性及其影響因素成為必要。
本文利用混合仿真方法對 GGNMOS 器件在 ESD 脈沖下的瞬態(tài)特性進行了仿真分析和研究。分析表明，ESD 脈沖參數(shù)對防護特性的影響不可忽略，大的 dV/dt對柵氧化層的可靠性造成威脅，同時也極大地影響了過沖電壓，論文研究并總結得到脈沖參數(shù)的影響規(guī)律；另外，

2、通過改變深亞微米工藝條件和器件結構尺寸，分別研究了二者對 GGNMOS ESD 防護特性的影響及作用機理，提出設計策略。文中還使用正交試驗的方法分析了器件結構尺寸對防護特性的影響程度，結合分析結果給出了 GGNMOS 的 ESD 防護特性優(yōu)化方案。
脈沖參數(shù)對防護特性影響規(guī)律的提出可以為 ESD 測試實驗的條件設置和標準規(guī)范提供依據，完整的瞬態(tài)響應機制分析使得 ESD 保護研究者對 GGNMOS 在 ESD情形下的物理機制