1、功率半導體器件是電力電子裝置的重要組成部分，它迅猛的發(fā)展極大地推進了電力電子技術的進步。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種綜合了電力MOSFET和雙極型晶體管優(yōu)點的功率半導體器件，廣泛應用于電機控制等領域中。電子電路的效率主要取決于器件的功率損耗，并且IGBT在較高的工作頻率下，由于開關損耗的增大易導致永久性損壞，所以研究IGBT的功率損耗具有很重要的意義。
　　計算機仿真以理論、數(shù)值分析和計算機為基礎，能夠真實地反應電路的特性，

2、通過建立仿真模型和分析輸出信息，能夠改善與優(yōu)化系統(tǒng)結構。通用仿真軟件中沒有IGBT的仿真模型，而PSpice仿真軟件可使用一些基本的器件模型建立IGBT的模型，并且能夠得到相對其它軟件更精確的仿真結果。
　　本課題首先回顧功率半導體器件的發(fā)展狀況，介紹國內外IGBT建模和損耗分析的現(xiàn)狀，分析IGBT的結構、特性、工作原理及應用前景，為建立IGBT模型打下基礎;重點以PSpice軟件作為仿真平臺，建立IGBT的靜態(tài)和動態(tài)模型，詳細分