1、氣體傳感器被廣泛應(yīng)用于石油化工、安全監(jiān)控、航空航天、環(huán)境監(jiān)測等多個領(lǐng)域。半導(dǎo)體金屬氧化物由于其對易燃易爆氣體和有毒有害氣體的高敏感性，被廣泛用作氣體敏感材料。納米半導(dǎo)體氧化物氣敏材料具有靈敏度高、工作溫度低等優(yōu)良氣敏性能，但是其在高溫下易團聚生長。而半導(dǎo)體氣體傳感器長期在高溫工作，造成納米氧化物失去其優(yōu)良性能，因此提高其熱穩(wěn)定性是確保納米材料優(yōu)良氣敏性能的關(guān)鍵。
　　 本文針對氧化物氣敏材料高溫下易團聚生長的問題，以納米SnO2

2、為研究對象，通過表面修飾，提高納米SnO2的熱穩(wěn)定性。其主要研究內(nèi)容如下:
　　 (1)在甲苯溶劑中，以TEOS為改性劑，利用乙氧基與納米SnO2表面羥基之間的化學(xué)反應(yīng)，將SiO2化學(xué)接枝于納米SnO2表面，以限制納米SnO2晶體粒子的生長，提高其熱穩(wěn)定性。改性前后，經(jīng)1000℃煅燒，納米SnO2平均顆粒尺寸由95nm降至30nm，限制了納米SnO2晶體粒子的高溫生長。
　　 (2)以KH-550為改性劑，對納米SnO2

3、進行表面化學(xué)修飾，抑制納米SnO2晶體粒子的生長。優(yōu)化KH-550改性納米SnO2的工藝，并對不同工藝條件下的改性材料進行氣敏性能測試。結(jié)果表明，兼顧熱穩(wěn)性與氣敏性的較佳工藝條件為:改性劑KH-550與納米SnO2的質(zhì)量百分比為9％，室溫反應(yīng)3h。該反應(yīng)條件下制備的改性納米SnO2對1000ppmH2的氣體靈敏度為37.5，且引入第二相SiO2的質(zhì)量百分比僅為1.74％。
　　 (3)采用FT-IR、XRD、SEM、TEM等手段

4、對TEOS與KH-550改性后的納米SnO2進行結(jié)構(gòu)表征與熱穩(wěn)定性分析。結(jié)果表明:SiO2與SnO2之間通過化學(xué)鍵Sn-O-Si相連接，SiO2高度分散于SnO2表面;以KH-550為改性劑，比TEOS能引入更多的SiO2，可更顯著地提高納米SnO2的熱穩(wěn)性;經(jīng)KH-550改性的納米SnO2于1000℃煅燒后，顆粒尺寸僅為10nm，比TEOS改性的納米SnO2顆粒尺寸(30nm)更小，熱穩(wěn)定性更高。
　　 通過硅氧烷中的乙氧基與