1、KDP(磷酸二氫鉀，KH2PO4)晶體因其優(yōu)良的光學性能和易生長出大口徑的單晶體等特點，在ICF(慣性約束核聚變)系統(tǒng)中應用廣泛。隨著科學技術的發(fā)展，ICF系統(tǒng)對KDP晶體的表面質量要求越來越高。單點金剛石切削和磁流變拋光后晶體表面常存在如固體殘留物、劃痕、切削紋理等瑕疵，表面瑕疵會嚴重影響KDP晶體的光學性能。而傳統(tǒng)的表面質量定性檢測方法不能量化KDP晶體加工后表面損傷信息。
　　本文在閱讀大量文獻的基礎上，參考光學元件表面質量

2、定量檢測方法，利用光學顯微鏡獲取表面圖像，研究圖像處理技術定量檢測KDP晶體表面瑕疵的方法，對于KDP晶體表面的質量控制具有重要意義。本文的主要研究內容和結論如下：
　　1.采集KDP晶體表面圖像樣本，采用灰度處理、光照不均勻校正和圖像濾波進行圖像增強，通過識別圖像的標尺獲得圖像的標定系數(shù)。
　　2.切削紋理特征提取與去除技術研究。分析和對比基于列均值最大值曲線和基于Hough變換的紋理主方向計算算法，后者計算精度和計算效率

3、較高；利用獲得的紋理主方向，圖像旋轉至紋理豎直方向，并列投影提取紋理灰度均值曲線，采用時域濾波搜索紋理峰谷點，計算紋理平均間距。
　　基于紋理主方向和Fourier變換構造頻域濾波器濾除空間紋理，切削紋理去除效果較好；研究灰度共生矩陣原理，分析生長步長D、灰度級L和生長方向θ對特征參數(shù)的影響，選取合適的矩陣生長參數(shù)，同時分析特征參數(shù)與基于Fourier變換的紋理去除關鍵參數(shù)??的關系，得出角二階距、對比度、逆差矩和熵隨著??的增大

4、和紋理的去除規(guī)律性，評價紋理的去除效果。
　　3.固體殘留物與劃痕識別技術研究。利用二維Renyi熵和數(shù)學形態(tài)學處理完成了圖像二值化、輪廓修整和邊緣提取，并實驗分析二維Renyi熵關鍵參數(shù)?對分割效果的影響，得出其取值范圍為1.5~2.5。
　　基于固體殘留物和劃痕的形狀特征差異，采用Freeman鏈碼計算邊緣曲率，設置曲率閾值C5-2，并通過直線判定準則和劃痕邊界估計，構造完整劃痕邊界，精確分類識別固體殘留物與劃痕。