1、透明導電氧化物薄膜(TCO)具有電阻率低、可見光透過率高等優(yōu)點，被廣泛應用于薄膜太陽電池的減反射層和前電極，TCO性能的優(yōu)劣會對薄膜太陽電池的性能產生直接影響。目前最具代表性的TCO是錫摻雜氧化銦(Indium TinOxide)簡稱ITO。ITO具有體心立方鐵錳礦結構，是一種重摻雜、高簡并的n型半導體材料，由于其具有導電性能好(電阻率約為10-4Ω·cm)、可見光透過率高（高于85％）等優(yōu)良的光電特性而備受青睞。相比于其他透明導電氧化

2、物，ITO的光電性能更佳，穩(wěn)定性更好，在太陽電池等領域上有很好的應用。本論文采用直流磁控濺射系統(tǒng)在玻璃襯底上制備ITO薄膜樣品，并將薄膜樣品應用在硅基異質結太陽電池上，研究了工藝參數對ITO薄膜的光電特性和結構特性的影響以及ITO的薄膜厚度對電池性能的影響，論文的主要內容有:
　　1.使用ITO陶瓷靶在無補氧條件下，研究了濺射時間、濺射壓強、濺射電流、Ar氣流量以及襯底溫度等工藝參數對ITO薄膜材料的光電性能的影響。制備出的ITO

3、薄膜材料具有在可見光區(qū)域內80％的平均透過率，電阻率保持在10-4量級，所得到的薄膜都呈(400)晶向擇優(yōu)取向生長。
　　2.在上述優(yōu)化后的工藝條件下，進行補氧實驗，考察O2流量的變化對薄膜結構、光電特性的影響，主要包括O2流量（未加熱）、O2流量（加熱）等情況。在本部分實驗中，所制備出的ITO薄膜材料在可見光區(qū)域的最大透過率均可達到90％以上，電阻率均在10-4量級，實驗結果表明在補氧情況下制備出的ITO薄膜材料的結構特性存在由

4、(222)晶向取代(400)晶向的變化趨勢，并且隨著O2流量的增大，薄膜逐漸呈單一的(222)晶向擇優(yōu)取向生長。
　　3.采用前面工作中優(yōu)化得到的ITO薄膜，應用于結構為ITO/a-Si/c-Si/Al的異質結太陽電池上，研究了ITO的沉積時間對該結構太陽電池性能的影響，隨著沉積時間的增大，電池的開路電壓(Voc)減小，短路電流密度(Jsc)、填充因子(FF)和電池效率(Eff)均先增大再減小，當ITO的沉積時間為8min時，所制