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![寬帶數(shù)控延時(shí)線芯片的研制.pdf_第1頁(yè)](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/18/806a2acb-e69f-4ce6-bce4-1cb92d077c83/806a2acb-e69f-4ce6-bce4-1cb92d077c831.gif)
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1、在多通道運(yùn)用和多目標(biāo)跟蹤方面的無(wú)線通信對(duì)工作帶寬提出了很高的要求。受無(wú)線通信市場(chǎng)需求的牽引,具有寬帶、高精度、大延時(shí)量的寬帶數(shù)控延時(shí)線成為研究的焦點(diǎn)。寬帶數(shù)控延時(shí)線是微波收發(fā)系統(tǒng)的核心電路。微波單片數(shù)控延時(shí)線具有體積小、重量輕、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。單片數(shù)控延時(shí)線已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中。
本論文介紹了寬帶數(shù)控延時(shí)線的工作原理、電路設(shè)計(jì)、微波單片電路制作工藝以及測(cè)試技術(shù)。本文的數(shù)控延時(shí)線芯片采用GaAs PHEMT材料和微波單片集成
2、電路工藝,采用了電路和電磁場(chǎng)仿真相結(jié)合的設(shè)計(jì)方法。同時(shí),所有延時(shí)位在延時(shí)支路采用常阻延時(shí)網(wǎng)絡(luò),從而實(shí)現(xiàn)了高延時(shí)精度、大延時(shí)量等性能。
典型GaAs MMIC數(shù)控延時(shí)線芯片主要性能指標(biāo)測(cè)試結(jié)果為:
工作頻率:2~18GHz;延時(shí)位:6位;插入損耗≤22.0dB;總延時(shí)量為315ps;駐波比≤2.5:1。
測(cè)試結(jié)果均達(dá)到了設(shè)計(jì)要求,較好的驗(yàn)證了砷化鎵微波單片集成電路設(shè)計(jì)理論,也為今后的改進(jìn)設(shè)計(jì)提供了重要的參考。
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