1、新能源的開發(fā)以及環(huán)境治理是解決能源短缺與環(huán)境惡化的主要手段，開發(fā)治理成本高以及開發(fā)治理效果不明顯仍是面臨的主要問題。因此找到一種低成本的制備工藝和材料來有效的開發(fā)新能源以及治理環(huán)境具有實際的研究價值。本文采用水熱法、化學浴以及光化學沉積法三種低成本的制備方法來制備ZnO納米陣列及其復合陣列，期望能夠為后續(xù)進一步低成本應用提供一個參考。本文研究內容主要包括以下三個方面:
　　(1)采用水熱法，以硝酸鋅為鋅源、六亞甲基四胺(HMTA)

2、為OH-源、聚乙烯亞胺(PEI)為添加劑、蒸餾水為溶劑，在FTO導電玻璃基底上制備ZnO納米陣列，系統(tǒng)研究了不同制備條件對合成ZnO納米陣列的影響。結果表明，隨著種子層溶液濃度增大，ZnO納米陣列高度以及直徑逐漸降低，垂直取向度逐漸增大，規(guī)整度增加;當Zn2+/HMTA摩爾濃度比逐漸增大時，納米陣列高度逐漸降低，直徑呈現先增后減的趨勢，當摩爾比為5∶5時，其光學禁帶值與理論值接近為3.2 eV;隨著前驅體溶液濃度增加，納米陣列直徑和高度

3、呈逐漸增大的趨勢，透射率逐漸降低，當前驅體溶液濃度為50和75 mM時，ZnO納米陣列由六棱柱針狀變向圓錐狀轉變;當反應溫度增加時，納米陣列直徑和高度逐漸增大，透射率逐漸降低，并隨著溫度增加缺陷增多。當Zn2+/HMTA濃度摩爾比為5∶5，前驅體溶液濃度為25 mM，反應溫度增加為90℃時制備的ZnO納米陣列，結晶性、規(guī)整度相對最好。
　　(2)采用化學水浴法，以硝酸銅為銅源、酒石酸鉀鈉(PSTT)為絡合劑、氫氧化鈉和碳酸鈉為堿性

4、介質、甲醛為還原劑、蒸餾水為溶劑，在ZnO納米陣列基底上制備刺突狀CuO納米顆粒，研究了不同制備條件對合成刺突狀CuO/ZnO納米陣列的影響。結果表明:當絡合劑PSTT濃度逐漸增大時，在ZnO納米陣列表面覆蓋的CuO納米顆粒逐漸增多，顆粒直徑也隨之增加，復合陣列透射率逐漸增加;當還原劑量逐漸增加時，ZnO納米陣列表面覆蓋CuO納米粒子量逐漸減少，顆粒直徑也逐漸降低，透射率透射率逐漸增加。當PSTT濃度為2.6 mM、甲醛量為0.125％

5、 v/v時制備的CuO/ZnO納米異質結相對于純ZnO納米陣列在紫外光照射下表現出優(yōu)異的光催化性能，對MO溶液降解率達到92.8％;同時在紫外可見光范圍內其吸收邊從380延伸至560 nm左右。
　　(3)采用光化學沉積法，以硝酸銅為銅源、蒸餾水為溶劑，在ZnO納米陣列端部制備花朵狀CuO納米粒子團簇結構，研究了不同制備條件對合成花朵狀CuO/ZnO納米異質結的影響。結果表明:當紫外光強度逐漸增大，陣列端部CuO納米粒子團簇逐漸由