1、20世紀(jì)30年代有機(jī)電致發(fā)光現(xiàn)象(OEL)第一次被發(fā)現(xiàn)，當(dāng)時(shí)由于OEL發(fā)光效率及亮度比較差，并沒(méi)有引起了人們太多的關(guān)注。直到1987年，鄧青云博士和Vanslyke首次使用有機(jī)半導(dǎo)體材料Alq3作為發(fā)光物質(zhì)，從而大幅度提升了器件的發(fā)光特性，OLED也得到了更多的重視。長(zhǎng)期以來(lái)，科研人員及很多廠商對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件研發(fā)投入巨大，促使其成為繼液晶顯示技術(shù)之后最有發(fā)展前景的顯示和照明技術(shù)。但是OLED在大規(guī)模商用方面還存在一些問(wèn)題，比如有機(jī)發(fā)

2、光機(jī)理還不夠完善、器件壽命和穩(wěn)定性等問(wèn)題尚待解決。圍繞這些問(wèn)題所展開(kāi)的研究工作，就形成了OLED當(dāng)前發(fā)展階段主要的研究方向，電極修飾是其中很重要的一個(gè)研究課題，我們就電極修飾問(wèn)題進(jìn)行了如下幾項(xiàng)研究工作:
　　(1)在陽(yáng)極修飾方面，我們使用P型半導(dǎo)體材料CuI對(duì)ITO電極進(jìn)行修飾，并制備了結(jié)構(gòu)為ITO/CuI/NPB/Alq3/Al器件。I-V及亮度測(cè)試表明，電極修飾后的器件其發(fā)光效率和亮度都得到了改善，紫外光電子譜(UPS)等測(cè)試

3、結(jié)果說(shuō)明ITO的功函數(shù)得到了約0.7eV的提升。另外我們還使用了MoO3、 PbI2等半導(dǎo)體材料嘗試對(duì)ITO進(jìn)行修飾，并制備相應(yīng)器件加以對(duì)比研究，但是實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明這兩種材料對(duì)OLED陽(yáng)極的修飾作用完全不同。
　　(2)受ITO表面處理技術(shù)的啟發(fā)，我們探討了幾種ITO等離子體處理方法。首先我們探討了氨氣等離子體處理的方式對(duì)ITO陽(yáng)極的影響，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明ITO功函數(shù)得到了提升，基于此電極制備的OLED器件，其發(fā)光特性也得到了較大的改善

4、;其次我們還驗(yàn)證了氧氣等離子體處理ITO使其功函數(shù)提高的結(jié)論，并進(jìn)一步分析了功函數(shù)提高的原因。
　　(3)在陰極修飾方面，我們針對(duì)不同器件結(jié)構(gòu)中的陰極展開(kāi)了修飾工作，這體現(xiàn)在本論文的第4章中。我們先對(duì)交流場(chǎng)致發(fā)光中對(duì)稱結(jié)構(gòu)器件的電極修飾做了初步的探討，然后對(duì)倒置結(jié)構(gòu)器件中的ITO陰極進(jìn)行了電極修飾的研究，利用電子傳輸材料Alq3和Al氧化物薄層都能夠?qū)TO陰極進(jìn)行有效的修飾，并分析陰極修飾的機(jī)理;最后分析了正置結(jié)構(gòu)器件中LiF對(duì)