1、本文主要闡述三點(diǎn)內(nèi)容:1、設(shè)計(jì)搭建ICP放電線圈以在特定的真空室內(nèi)產(chǎn)生高密度可持續(xù)的等離子體;2、在該等離子體環(huán)境中創(chuàng)新性地以射頻電場(chǎng)的方式給基底加指定的直流偏壓，以對(duì)其表面蒸鍍的絕緣物質(zhì)薄膜進(jìn)行離子注入，在本文中是對(duì)C60層實(shí)現(xiàn)氮離子的注入，注入能量是20eV;3、使用兩種不同的頻率對(duì)絕緣膜加偏壓，在真空室外的匹配網(wǎng)絡(luò)里觀察偏壓曲線的變化，以此判斷絕緣層膜厚的變化。
　　在等離子體材料處理中經(jīng)常使用感性、容性兩種放電模式，有時(shí)也

2、使用兩種不同的頻率。在本文中采用感性放電來(lái)產(chǎn)生高密度的等離子體，而用容性放電的原理來(lái)給基片表面的絕緣膜加直流偏壓以實(shí)現(xiàn)離子注入。膜厚增加造成膜電容變化，由于和匹配電容的分壓作用而造成偏壓曲線的變化，通過(guò)測(cè)量這一變化的曲線可以得到膜厚變化的信息。偏壓曲線除與膜厚增長(zhǎng)有關(guān)外，也與偏壓電源的頻率有關(guān)，頻率越小，曲線上升越快。
　　第一章為概述，介紹鞘層及材料處理等基本概念。第二及第三章介紹容性及感性放電的原理。第四章介紹實(shí)驗(yàn)背景，即他人