1、自旋電子學(xué)是上世紀(jì)九十年代以來飛速發(fā)展起來的新興學(xué)科?；谧孕娮訉W(xué)的巨磁阻(GMR)效應(yīng)自發(fā)現(xiàn)以來立即引起各國企業(yè)界及學(xué)術(shù)界的高度重視,具有重要的科學(xué)意義和很大的實(shí)用價(jià)值。自旋電子器件具有非揮發(fā)性、低功耗和高集成度等優(yōu)點(diǎn),主要應(yīng)用在磁傳感器、隨機(jī)存儲器和高密度讀出磁頭等方面。GMR傳感器在自動化技術(shù)、家用電器、衛(wèi)星定位、導(dǎo)航、汽車工業(yè)、醫(yī)療等方面都具有廣闊的應(yīng)用前景。
　　 本文首先介紹了磁阻效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)、研究歷程,并對含有巨磁

2、阻效應(yīng)的結(jié)構(gòu)和材料進(jìn)行簡要的敘述,緊接著對巨磁阻效應(yīng)的原理進(jìn)行了論述,深入探討了自旋閥多層膜中電子輸運(yùn)的特點(diǎn)以及巨磁阻結(jié)構(gòu)在外加磁場下電阻變化的原理。進(jìn)行了自旋閥巨磁阻位移傳感器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),利用L-edit設(shè)計(jì)了光刻掩膜版的版圖,制備了掩膜版;通過三次光刻技術(shù)、物理刻蝕以及薄膜沉積制備由GMR薄膜電阻和金屬薄膜電阻構(gòu)成的惠斯登橋路(芯片);研究了刻蝕實(shí)驗(yàn)中多個工藝參數(shù)對GMR薄膜電阻的影響,得到最佳刻蝕條件。經(jīng)過Ⅰ-Ⅴ測試電阻大小及橋路