1、本文以不同磁致伸縮系數(shù)的Co基、Fe基和CoFe基熔體抽拉非晶絲為研究對(duì)象,利用磁力顯微鏡(MFM)系統(tǒng)研究了不同電流調(diào)制和應(yīng)力狀態(tài)(表面電鍍處理、低溫介質(zhì)電流調(diào)制處理、拉伸和扭轉(zhuǎn)應(yīng)力)對(duì)三種非晶絲的磁疇結(jié)構(gòu)影響,同時(shí),分析了不同處理狀態(tài)下非晶微絲GMI的變化規(guī)律,并嘗試揭示各種處理狀態(tài)和GMI效應(yīng)的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
　　磁疇結(jié)構(gòu)分析與GMI測(cè)試結(jié)果表明,制備態(tài)下,非晶絲的GMI效應(yīng)取決于磁致伸縮系數(shù)和磁疇結(jié)構(gòu)的分布。近零磁致伸縮非晶絲

2、相比正、負(fù)磁致伸縮非晶絲,磁疇寬度小,分布均勻,環(huán)向疇體積分?jǐn)?shù)高,因而具有高的GMI效應(yīng),ΔZ/Z可達(dá)320.18％,磁場(chǎng)響應(yīng)靈敏度達(dá)112.59%/Oe。
　　對(duì)非晶絲表面鍍層(Ni與Cu層)的磁疇結(jié)構(gòu)觀察表明,電鍍后的磁疇結(jié)構(gòu)均發(fā)生較大改變。鍍Ni層使非晶絲的磁疇結(jié)構(gòu),由初始的條紋疇轉(zhuǎn)變?yōu)槊詫m疇;鍍Cu層使非晶絲表面的磁疇結(jié)構(gòu)消失。GMI測(cè)試結(jié)果表明,鍍Ni層后的迷宮疇在外磁場(chǎng)作用下的移動(dòng)受到阻礙,GMI性能較制備態(tài)下降明顯;

3、鍍Cu層后,GMI效應(yīng)基本消失。因而,在微磁傳感器的制造過(guò)程中,應(yīng)避免微絲端部鍍層過(guò)長(zhǎng),更不允許鍍層部分?jǐn)D占微絲工作區(qū)段長(zhǎng)度。
　　低溫介質(zhì)電流調(diào)制實(shí)驗(yàn)表明,該方法能顯著改善非晶絲的磁疇結(jié)構(gòu)與GMI性能。電流強(qiáng)度較小時(shí),磁疇結(jié)構(gòu)改變不明顯,故不能顯著改善GMI效應(yīng)。當(dāng)電流強(qiáng)度高于200mA時(shí),正、負(fù)磁致伸縮非晶絲的GMI性能均有不同程度的改善,近零磁致伸縮非晶絲的GMI效應(yīng)得到明顯改善,磁場(chǎng)靈敏度由112.59%/Oe迅速提高至5

4、26.09%/Oe,這與電流調(diào)制處理可有效增大等效各向異性場(chǎng)密不可分,進(jìn)而促使GMI曲線的峰行為特征發(fā)生雙峰演變。
　　通過(guò)實(shí)際模擬微磁傳感器設(shè)計(jì)制造過(guò)程中的應(yīng)力狀態(tài)表明,對(duì)非晶絲施加拉應(yīng)力時(shí),具有正、負(fù)磁致伸縮特性的非晶絲,其磁疇寬度隨應(yīng)力的增加而呈先增大后減小趨勢(shì),具有近零磁致伸縮特性非晶絲的磁疇寬度則單調(diào)減小。當(dāng)拉應(yīng)力達(dá)30.8MPa時(shí),近零磁致伸縮非晶絲環(huán)向磁疇條紋變得細(xì)密,分布均勻,疇壁清晰,GMI性能得以提高。扭轉(zhuǎn)應(yīng)力