絲網(wǎng)印刷法制備鈦酸鉍鈉基鐵電厚膜材料及其儲能行為研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著電子器件向著集成化與小型化的方向發(fā)展,高儲能密度與高儲能效率的電容器成為了研究的熱點。環(huán)境的日益惡化要求電子行業(yè)采用環(huán)境友好型的無鉛材料,由于(1)與線性介電材料和反鐵電材料相比,鐵電材料更適合作為高儲能密度電介質(zhì)材料;(2)厚膜材料相比于塊體材料和薄膜材料有整體儲能較大的優(yōu)勢。因此本論文主要研究鈦酸鉍鈉(Na0.5Bi0.5TiO3,簡稱NBT)基鐵電厚膜的儲能性能。
  本文采用絲網(wǎng)印刷法在氧化鋁基片上成功制備了NBT基鐵

2、電厚膜。使用X射線衍射儀(XRD)和掃描電鏡(SEM)對制得的樣品進行物相和微觀結(jié)構(gòu)分析;采用精密LCR數(shù)字電橋?qū)衲さ慕殡娦阅苓M行測試;采用帶有高壓源的綜合鐵電測試系統(tǒng)對鐵電厚膜的電滯回線(P-E)進行測試,按照韋伯分布計算樣品的擊穿場強(BDS),同時根據(jù)P-E測試圖計算其儲能密度及儲能效率,使用吉時利數(shù)字源表對厚膜的漏電流性能進行測試。
  通過XRD物相分析將NBT粉體的制備工藝定為:Na過量2mol%,Bi過量5mol%

3、,預(yù)燒溫度850oC下保溫3h。確定粉體預(yù)燒工藝后,通過添加Ba-B-Si玻璃粉和Bi-Li氧化物燒結(jié)助劑對NBT厚膜的燒結(jié)過程進行改善,結(jié)果表明這兩種燒結(jié)助劑的加入均能使 NBT厚膜的儲能密度提高。其中添加1wt% Ba-B-Si玻璃粉的NBT厚膜在900oC保溫12h的燒結(jié)工藝下獲得的最大儲能密度為2.0J/cm3,添加3wt%Bi-Li燒結(jié)助劑的NBT厚膜在900oC保溫8h的燒結(jié)工藝下獲得的最大儲能密度為1.7J/cm3。

4、>  在以上實驗的基礎(chǔ)上,研究了鈦酸鋇(BaTiO3,簡稱BT)摻雜對NBT基鐵電厚膜儲能性能的影響。結(jié)果表明:添加5wt%的Bi-Li燒結(jié)助劑,適量的BT的摻雜能夠同時提高樣品的擊穿場強和飽和極化值(Pmax)與剩余極化值(Pr)的差值,使得儲能性能提高。當 BT的摻雜量為3mol%時,得到的最大儲能密度為2.4J/cm3,并且該組分厚膜的儲能性能表現(xiàn)出了良好的溫度穩(wěn)定性。同時,NBT-xBT組分的漏電流密度相比純NBT均有所下降。<

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