1、近年來激光直寫布線技術(shù)廣泛應(yīng)用于各種微電子器件制作及其電路板的制作與修復。它具有快速靈活，適應(yīng)性強，加工精度高，成本低廉，綠色環(huán)保，適用范圍廣等諸多優(yōu)點。本課題研究的激光誘導向前轉(zhuǎn)移技術(shù)就是一種基于膜層轉(zhuǎn)移的激光直寫技術(shù)。實驗中對預置銀膜進行了激光誘導直寫布線研究，其主要內(nèi)容工作和結(jié)果包括以下幾個部分：
　　 第一，采用不同的制膜工藝自制了不同厚度的銀膜。其中利用銀鏡反應(yīng)制備了厚度為納米級的膜層，利用旋涂燒結(jié)銀漿料制備了厚度為微

2、米級的膜層。
　　 第二，在納米級銀膜的激光轉(zhuǎn)移布線實驗中，研究了不同激光工藝參數(shù)對轉(zhuǎn)移沉積導線形貌和導電性的影響。結(jié)果表明：一次轉(zhuǎn)移沉積得到的導線的導電性能都很差，當接收距離為40μm，相鄰脈沖之間保持約25％的搭界量時，直寫導線的性能有所改善。通過增加加工轉(zhuǎn)移次數(shù)可以使激光直寫制備的導線的導電性能大幅提高，并詳細分析了產(chǎn)生這種現(xiàn)象的原因，得出通過增大金屬原膜厚度和增加加工次數(shù)都可以顯著提高導線的導電性能。
　　 第三