1、有源矩陣液晶顯示技術(shù)(AMLCD)是目前主流的顯示技術(shù)，同時(shí)隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，被稱為下一代顯示技術(shù)的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)在最近幾年也取得了飛速的發(fā)展。目前平板顯示技術(shù)正朝著更高分辨率、更低功耗、更大尺寸的方向發(fā)展，其核心元件—薄膜晶體管(TFT)，目前大多仍然以非晶硅TFT和多晶硅TFT為主，但非晶硅TFT遷移率低、閾值電壓容易發(fā)生漂移;多晶硅TFT制備工藝復(fù)雜、大面積制備均勻性差。
　　采用新型半導(dǎo)體材料的T

2、FT是今后發(fā)展的方向，本論文針對(duì)目前非晶硅TFT、多晶硅TFT在顯示應(yīng)用中的不足，研究利用微晶硅TFT以及氧化物TFT制備TFT-LCD，以期達(dá)到對(duì)TFT-LCD的優(yōu)化設(shè)計(jì)，為今后深入研究TFT-LCD技術(shù)奠定基礎(chǔ)。微晶硅TFT和氧化物TFT，相比非晶硅TFT具有更高的載流子遷移率以及更好的穩(wěn)定性，相比多晶硅TFT具有更好的均勻性，并且制備工藝簡(jiǎn)單、在低溫條件下可大面積制備，這類新型的TFT可以替代非晶硅TFT和多晶硅TFT并應(yīng)用于LC

3、D和OLED等顯示器件中，具有廣闊的發(fā)展前景。
　　本文利用SILVACO模擬軟件設(shè)計(jì)并仿真TFT結(jié)構(gòu)，研究不同參數(shù)如溝道材料、溝道寬長(zhǎng)比等對(duì)TFT器件性能的影響，并仿真得到其特征參數(shù);同時(shí)進(jìn)行微晶硅TFT以及氧化物TFT的制備與測(cè)試，并結(jié)合測(cè)試結(jié)果得到仿真修正參數(shù)，以指導(dǎo)模擬各種結(jié)構(gòu)的新型TFT;利用Labview軟件設(shè)計(jì)了TFT-LCD面板的初步優(yōu)化程序，研究TFT溝道寬度W和存儲(chǔ)電容Cs對(duì)TFT-LCD設(shè)計(jì)的影響，指出優(yōu)化T