1、微波介質陶瓷是近30年來發(fā)展起來的一種新型功能陶瓷材料,具有介電常數(shù)εr高、品質因子Q高(即介電損耗低)、頻率溫度系數(shù)τf可小等優(yōu)良性能,是制作諧振器、濾波器、介質基片、介質天線、介質波導回路等各種微波器件的關鍵材料。隨著移動通信、衛(wèi)星通信的迅速發(fā)展,對材料在高頻下的介電損耗要求越來越高。民用微波器件向微波高頻段的發(fā)展不僅要求微波介質陶瓷在高頻段具有優(yōu)良的微波介電性能,而且也要求產(chǎn)品必須具有低廉的價格。具有復合鈣鈦礦結構Baq(B`1/

2、3 B"2/3)O3(B`=Mg、Zn、Ni、Co;B"=Ta、Nb)系統(tǒng)或它們之間的復合系統(tǒng)微波介質陶瓷由于在很高的微波頻率下具有極低的介電損耗而受到人們的重視。但是,氧化鉭價格昂貴,大大增加了工業(yè)生產(chǎn)的成本。相反,氧化鈮價格相對低廉,而且鈮酸鹽陶瓷具有更高的介電常數(shù),更低的燒結溫度,因而鈮酸鹽受到了人們的重視。
　　 本論文以固相合成法制備Ba(Mg1/3Nb2/3)O3(BMN)陶瓷,研究工藝參數(shù)和化學配比對其結構與介電性

3、能的影響,探討B(tài)MN微波介質陶瓷結構與性能的相關性。研究了B位化學計量比缺陷,Mg缺位等對BMN陶瓷的結構和微波介電性能的影響。研究結果表明:Mg的適量缺位可以促進BMN陶瓷的燒結并提高B位離子的1:2有序性。這是由于適量的Mg缺位,可以促進了晶界之間B位陽離子的傳質,改善了陶瓷的燒結性能,同時也提高了B位陽離子的1:2有序度。而且,Mg缺位使的晶胞參數(shù)改變,促使晶體結構更接近于理想的鈣鈦礦結構。
　　 為了探討缺位的存在對晶體