1、電磁兼容(EMC)測(cè)試方法以及測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性，直接影響到企業(yè)受試產(chǎn)品合格與否。半電波暗室(SAC)是研究EMC及提高EMC技術(shù)必不可少的最重要的科學(xué)手段之一。半電波暗室可以用來(lái)取代開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)，對(duì)測(cè)試設(shè)備(EUT)進(jìn)行輻射發(fā)射和輻射抗擾度試驗(yàn)。為進(jìn)一步提高半波暗室檢測(cè)能力，綜合國(guó)內(nèi)外半電波暗室的建設(shè)方案，對(duì)現(xiàn)有的半波暗室進(jìn)行了升級(jí)改造。本課題以歸一化場(chǎng)地衰減(NSA)參數(shù)為例，參照ANSI C63.4-2003標(biāo)準(zhǔn)提出了一個(gè)簡(jiǎn)化

2、的NSA計(jì)算模型及其測(cè)試方法，研究結(jié)果表明理論數(shù)據(jù)和測(cè)試數(shù)據(jù)基本相符。
　　 本課題針對(duì)現(xiàn)有暗室設(shè)計(jì)存在的問(wèn)題，采取在局部改換點(diǎn)連接部件的方法，以改善其電氣連接性能。針對(duì)暗室使用過(guò)程中出現(xiàn)的一些問(wèn)題，采取標(biāo)準(zhǔn)化EUT及其線纜的擺放，暗室局部區(qū)域更改或添加新的薄型吸波材料等各種措施，以背景噪聲作為衡量指標(biāo)，對(duì)暗室的各個(gè)部件進(jìn)行整改處理。對(duì)于場(chǎng)地性能參數(shù)波動(dòng)引起測(cè)試誤差，構(gòu)建一個(gè)日常校驗(yàn)系統(tǒng)，以定量方式監(jiān)測(cè)暗室的性能，使其保持在一個(gè)