1、鈦酸鍶鋇(Ba0.6Sr0.4TiO3, BST)鐵電薄膜作為新一代微波調諧材料，具有廣闊的應用空間和重要的研究意義。本論文主要研究鉀(K)鎂(Mg)交替摻雜對BST薄膜相結構特征及介電性能的影響。采用改進的溶膠-凝膠(Sol-gel)法制備K摻雜、Mg摻雜、K/Mg交替及Mg/K交替摻雜BST薄膜，首先利用XRD研究薄膜的相結構，并對薄膜鐵電-順電相變溫度進行探索研究，然后對不同摻雜濃度薄膜的表面化學態(tài)和表面形貌進行對比研究，最后圍繞

2、交替摻雜對介電常數(shù)、調諧率、優(yōu)質因子等介電性能參數(shù)的影響進行分析，建立其與相結構的關系，主要研究結果如下：
　　1.研究鉀鎂交替摻雜BST薄膜的相結構特征。結果表明：鉀鎂單一及交替摻雜均有助于薄膜形成鈣鈦礦結構，使鈣鈦礦(110)特征峰強度變大。衍射峰峰位向2θ角減小方向偏移，晶格常數(shù)變大，半高寬展寬，對應更小的晶粒尺寸和介電損耗。摻雜K時，K+主要進入A位替代Sr2+；摻雜Mg時，Mg2+主要進入B位替代Ti4+。介溫特性測試表

3、明：與未摻雜相比，鉀鎂單一和交替摻雜均使薄膜表現(xiàn)出良好的溫度特性，其中交替摻雜效果更佳。在-50~100?C范圍內薄膜未出現(xiàn)明顯的鐵電-順電相變現(xiàn)象，介電常數(shù)變化平穩(wěn)。
　　2. XPS、SEM及AFM分析表明，鉀鎂交替摻雜在促進薄膜鈣鈦礦結構形成和降低介電損耗等方面與單一摻雜相比優(yōu)勢明顯。交替摻雜后，薄膜光滑致密、無縮孔，具有明顯優(yōu)勢，通過介電性能的測試可進一步得到驗證。
　　3.對不同摻雜方式、不同摻雜濃度、不同測試頻率