1、近年來，隨著現代信息技術的迅猛發(fā)展，人們對微波電路的研究提出了平面化、小型化和集成化的要求?；刹▽?SIW)作為一種新的導波結構，同時具有波導和微帶線的優(yōu)點，例如品質因數較高、功率容量較大、輻射損耗小、易與平面電路集成、易加工、成本低等優(yōu)點。因此，SIW技術在天線饋線、濾波器、耦合器、振蕩器等微波、毫米波電路中得到了廣泛的應用，其中應用基片集成波導技術設計高性能的帶通濾波器是目前微波濾波器領域的一個研究熱點。
　　 本文首

2、先介紹了SIW結構，接著分析了其傳輸特性和設計方法，并給出了SIW與微帶的過渡結構。在SIW的結構基礎上又分析了四分之一模式基片集成波導（Quarter-mode substrate integrated waveguide，QMSIW），QMSIW結構尺寸僅為SIW結構的四分之一，更為緊湊和小型化。
　　 其次，結合廣義切比雪夫理論，設計了基于QMSIW中心頻率為5.5GHz的交叉耦合帶通濾波器，負耦合結構是通過在兩諧振腔的公

3、共短路壁的上下金屬面上平行對稱地蝕刻出兩個耦合縫隙而構成。在結構中，通過不同傳輸路徑之間的能量抵消，實現在帶外增加傳輸零點，使濾波器獲得陡峭的帶外衰減。
　　 然后，結合互補開口諧振環(huán)(Complimentary split ring resonator,CSRR)基于SIW結構設計出具有陡峭帶外衰減和良好頻率選擇性的帶通濾波器。在此基礎上，通過添加缺陷地結構（Defected ground structure，DGS），使用周

4、期的dumbbell結構大大地展寬了濾波器的高頻阻帶。
　　 最后，利用低溫共燒陶瓷(Low temperature co-fired ceremic，LTCC)技術，結合SIW結構設計了V-band(57GHz～64GHz)頻段的交叉耦合帶通濾波器。由于頻率比較高，在設計中不可避免地存在寄生效應和輻射損耗，文中對此進行了討論分析。此外，文中詳細地介紹了每種帶通濾波器的設計方法和設計過程。最終進行了實物加工并測試，通過與仿真結果