晶體硅太陽(yáng)電池激光摻雜選擇性發(fā)射極技術(shù)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、激光摻雜選擇性發(fā)射極技術(shù)是提高太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率的重要方法之一,本文從理論出發(fā)建立了擴(kuò)散模型和激光摻雜模型,進(jìn)行了激光摻雜實(shí)驗(yàn),分析了激光摻雜提高電池轉(zhuǎn)換效率的機(jī)理。本文的主要內(nèi)容包括:
  (1)分析了選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)相對(duì)于傳統(tǒng)電池結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn),討論了選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)改善電池開路電壓、短路電流、少子壽命以及電池轉(zhuǎn)換效率的機(jī)理。
  (2)從理論出發(fā),建立了擴(kuò)散模型,并研究了激光與晶體硅的相互作用,建立了熱源模型、熔池模型

2、以及方阻模型,為選擇性發(fā)射極太陽(yáng)電池的發(fā)射極區(qū)和電極區(qū)的方阻分布設(shè)計(jì)優(yōu)化了參數(shù)。
  (3)以現(xiàn)有太陽(yáng)電池基本制造工藝技術(shù)為基礎(chǔ),進(jìn)行了激光摻雜選擇性發(fā)射極實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)采用波長(zhǎng)為532nm的脈沖激光器對(duì)晶體硅片進(jìn)行摻雜。激光摻雜后硅片方阻值出現(xiàn)明顯降低,而且增大激光器工作電流,硅片方阻值下降更加明顯。實(shí)驗(yàn)測(cè)試了晶體硅太陽(yáng)電池的外量子效率,外量子效率在短波段有顯著提高,最高提高18%。研究了激光摻雜后晶體硅電池的光電轉(zhuǎn)換特性,電池轉(zhuǎn)換

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