1、以銅銦硒(CuInSe2，簡稱CISe)為基礎(chǔ)的I-III-VI族三元或四元化合物具有性能穩(wěn)定、光電轉(zhuǎn)換率高及無光致衰退效應(yīng)等特點，是非常理想的薄膜型太陽能電池材料。適用于光伏應(yīng)用的 I-III-VI族三元化合物主要包括硫銦銅礦結(jié)構(gòu)的銅銦硫(CuInS2，簡稱 CIS)及黃銅礦結(jié)構(gòu)的銅銦硒(CISe)，其四元化合物主要是黃銅礦結(jié)構(gòu)的銅銦鎵硒(CuIn1-xGaxSe2，簡稱CIGSe)。然而，三元及四元I-III-VI族吸收層材料元素比

2、例難控制，制備成本較高，制約了該太陽能電池大規(guī)模生產(chǎn)。本論文以控制吸收層三元及四元化合物的元素配比和降低制備成本為出發(fā)點，描述了非真空金屬氧化物前驅(qū)體納米顆粒制備I-III-VI族三元及四元化合物材料方法。
　　本論文中，首次將金屬氧化物前驅(qū)體納米顆粒法應(yīng)用于銅銦硫吸收層薄膜的制備，并通過這種方法制備出了膜層較平整的致密的CIS吸收層薄膜、CISe吸收層薄膜及CIGSe吸收層薄膜。本論文的主要內(nèi)容包括：
　　1．制備了氫氧化

3、銅、氫氧化銦和氫氧化鎵的沉淀并對其形成過程進(jìn)行了研究。
　　2．討論了金屬氧化薄膜制備過程中，襯底、墨水組成成分以及旋轉(zhuǎn)涂布轉(zhuǎn)速對所制備薄膜組分及質(zhì)量的影響，經(jīng)過參數(shù)優(yōu)化制備出了膜層較平整的氧化物薄膜。
　　3．通過研究氫化還原、退火溫度、退火時間對CIS/CISe吸收層薄膜的影響，制備出了膜層平整致密的CIS/CISe薄膜。
　　4．討論兩步高溫處理前后 CIS/CISe/CIGSe吸收層薄膜中的元素比例控制以及元素