基于非等溫技術的聚合物陷阱態(tài)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近些年來,聚合物電介質材料中的空間電荷問題一直都是相關研究人員非常關注的焦點問題。因此,對電介質材料中電荷陷阱能譜的分布進行科學準確的表征,對改進和提高電介質材料的性能及其應用水平都有著極為重要的科學意義和實用價值。
  本文利用光激放電(Photo stimulated discharge-PSD)的原理測試聚合物電介質材料中陷阱能譜的分布,具體完成以下工作:
  搭建一個可以實現在不同溫度下進行PSD測試的實驗平臺。設計

2、可調節(jié)的恒溫樣品室,可以得到不同溫度下被測樣品的陷阱能譜分布情況;利用PSD與熱激電流(Thermally stimulated current-TSC)方法相結合,探究TSC方法中環(huán)境溫度的升高對電介質材料的電荷陷阱結構的影響。研究表明,針對同一被測樣品,TSC方法測量的陷阱深度比PSD方法淺得多,經分析,由于電荷陷阱受到熱運動的侵蝕作用,TSC方法所測得的陷阱深度僅僅是一個視在值,而實際上,不論是經過熱激發(fā)還是光激發(fā),所測電流均來源

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