1、當前,隨著尖端科技的不斷發(fā)展和人們環(huán)保意識的逐漸增強,對火箭燃燒產(chǎn)物、汽車尾氣和工業(yè)廢氣等一系列高溫有害氣體的監(jiān)測要求越來越高。故作為氣體探測的終端,氣敏傳感器的存在是必不可少的。碳化硅(SiC)以其優(yōu)良的物理化學特性和電學特性成為制造高溫、高頻、大功率半導體器件的一種最具有優(yōu)勢的半導體材料。SiC基氣敏傳感器主要有三種結(jié)構(gòu)形式:MOS電容型、SBD型和MOSFET型。文章主要針對后兩種結(jié)構(gòu)進行研究。
　　本文首先分析了SiC氣敏

2、傳感器的響應(yīng)機理,詳細研究了催化金屬表面氫吸附-解吸理論和SBD熱電子發(fā)射理論。考慮理想因子的變化和勢壘高度的調(diào)制,建立了SBD傳感器的物理模型,確定了SBD器件中界面層的可取厚度:2-5nm。
　　探討了SBD傳感器的制備技術(shù)方案,重點分析了關(guān)鍵絕緣層的重要作用和制備方法,設(shè)計確定了器件的整體結(jié)構(gòu),提出了一套詳細的樣品制備流程,并對樣品的響應(yīng)特性做出合理的預(yù)測。
　　最后,文章對MOSFET器件中襯底偏置對氣體響應(yīng)的影響做