T-R組件中鍵合互連的微波特性和一致性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、鍵合互連是實現(xiàn)微波多芯片組件電氣互連的關鍵技術，鍵合互連的拱高、跨距和金絲根數(shù)對其微波特性具有很大的影響。本文主要針對T/R組件中鍵合互連的微波特性和應用進行了理論分析、仿真、樣品制作和實驗研究。主要研究工作可概括為以下五個方面：
　　 (1)介紹了FDTD基礎理論和金絲鍵合互連的準靜態(tài)模型，確定了鍵合互連模型的正確性。
　　 (2)采用商用三維電磁場軟件HFSS對微波多芯片組件中金絲/金帶鍵合互連的微波特性進行建模分析

2、和仿真優(yōu)化。仿真優(yōu)化結果與試驗樣品的測試結果吻合較好。
　　 (3)比較分析了毫米波頻段單根金絲、兩根金絲、三根金絲和金帶的微波特性，測量結果表明鍵合兩根金絲能與鍵合金帶在插入損耗上能相比較。利用低通濾波器原理對互連金絲的傳輸特性進行優(yōu)化設計，獲得了比較理想的結果。
　　 (4)研究手動鍵合設備和半自動鍵合設備的對鍵合金絲/金帶的跨距、拱高的控制。對金絲鍵合進行了SPC的統(tǒng)計過程控制，提高了微波多芯片組件的鍵合質量。

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