1、獲得結(jié)構(gòu)均勻可控、合成簡單、性能良好的納米材料一直是材料研究的重要內(nèi)容，探索合成納米材料的新方法及新概念具有重要的理論意義。低維納米材料因其在介觀物理領(lǐng)域及構(gòu)造納米器件方面獨特的應(yīng)用而受到國內(nèi)外許多研究小組的廣泛關(guān)注，是未來納電子器件的基本組成單元，在電子、熱電、光電乃至能源等領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用。
　　金屬鎘因其具有較長的電子自由程、較快的載流子移動速度而成為研究低維物理現(xiàn)象的理想體系。本論文探索了金屬鎘、鎘的硫化物等的氣相合成低

2、維納米材料的方法，一步法制備出了CdS分級結(jié)構(gòu)的多種形貌、CdS納米棒網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)、金屬鎘納米墻和納米薄片等低維材料，并進行了詳細的表征和性能測定，解釋了其生長機理和變化規(guī)律。
　　有關(guān)CdS制備一維結(jié)構(gòu)及其分級結(jié)構(gòu)的機理，近年來有很多研究者進行了研究，主要是利用催化劑的VLS（氣-液-固）機制或者不加催化劑的VS（氣-固）機制進行。目前利用催化劑制備納米線分級結(jié)構(gòu)多采用兩步法進行，且形貌種類不夠豐富。本文采用一步法制備出了CdS多種

3、分級結(jié)構(gòu)的工作，利用一定的真空條件下CdS在高溫下發(fā)生熱分解，遵循VLS生長機制，納米線將沿著固-液界面擇優(yōu)方向析出，長成線狀分級結(jié)構(gòu)多種形貌。同時說明了控制催化劑和CdS之間的比例、基片的位置、溫度、真空度等參數(shù)對CdS分級結(jié)構(gòu)形貌變化的重要作用。
　　另一方面，利用VS機制，不摻雜催化劑在不耐高溫基片上制備CdS納米網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并使之有一定的結(jié)合度，是一個不易解決的問題。通過活性氣體加速自催化生長CdS納米網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，可以使CdS

4、納米線、納米棒以及由此組成的納米網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)均勻的生長在FTO上，并且證明有一定的光電轉(zhuǎn)換性能，為制備量子點敏化太陽能電池納米線電極的光散射能力增強奠定一個堅實的基礎(chǔ)。通過對制備進行參數(shù)改變適當延長保溫時間，還可以得到CdS納米帶網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，同樣可以控制CdS納米線/棒的形貌。也可以利用CdS的這種結(jié)構(gòu)為模板，通過氣相/液相的陰/陽離子交換制備一些其它不易制備的形貌等，有著新穎的非常廣闊的應(yīng)用前景。這種機制突破傳統(tǒng)的VLS、VS等生長機制，創(chuàng)

5、新的提出了活性氣體加速自催化生長納米線生長機制，有一定的理論創(chuàng)新意義。
　　金屬納米薄片具有二位等離子性質(zhì)、光學(xué)性能應(yīng)用、吸引了很多研究者的目光。由于其橫向直徑遠大于其厚度，因此其表面等離子相應(yīng)性質(zhì)可以有效調(diào)節(jié)，并且電磁場性能也能很大提高，因此金屬納米薄片逐漸成為研究熱點。目前常用的金屬納米薄片制備方法主要在液相中進行，通過還原劑在表面活性劑的作用下制備，且主要集中在貴金屬的研究，活潑金屬研究很少。我們利用氣相法一步合成了金屬納米