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![一種應(yīng)用于ZVS全橋變換器的高頻隔離雙通道諧振驅(qū)動.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/17/da736eac-4ee4-4ed0-bf8c-1165840dc0aa/da736eac-4ee4-4ed0-bf8c-1165840dc0aa1.gif)
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文檔簡介
1、提高功率變換器的開關(guān)頻率可以減小其中無源器件的體積,提高其功率密度。但是,隨著開關(guān)頻率的提高,開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗也會相應(yīng)增加。雖然軟開關(guān)技術(shù)可以減小高頻時的開關(guān)損耗,但是隨著開關(guān)頻率的提高,過大的驅(qū)動損耗嚴重影響著電路的效率和可靠性。在最近的二十年里,諧振驅(qū)動技術(shù)(Resonant Gate Driver,RGD)被人們提了出來。與傳統(tǒng)電壓型驅(qū)動相比,諧振驅(qū)動技術(shù)可以回收原本消耗的驅(qū)動能量,從而可以減小驅(qū)動損耗。全橋變換器在中大功率的場
2、合應(yīng)用很廣泛。但是,目前依然沒有適合它的諧振驅(qū)動電路來減小其高頻驅(qū)動損耗的。而所提的諧振驅(qū)動電路也應(yīng)該可以與零電壓開關(guān)技術(shù)結(jié)合起來,從而提高全橋變換器效率。
本文提出了一種適合全橋變換器的隔離雙通道諧振驅(qū)動電路。所提RGD電路可以為一個橋臂上的兩只功率MOSFET提供一對隔離互補的驅(qū)動信號。而且,與傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動相比,所提RGD電路可以減小79%的驅(qū)動損耗。此外,所提RGD電路產(chǎn)生的反向驅(qū)動電壓可以提高功率MOSFET關(guān)斷的可
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