寬尺度電沉積納米晶Ni制備及S的擴散行為研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩75頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、近些年來,納米金屬材料因其特殊的微觀結構而表現(xiàn)出比傳統(tǒng)粗晶材料更為優(yōu)異的物理化學性質和力學性能,如超高強度等,受到了各界廣泛的關注;但其塑韌性較差,大大降低其實際應用價值。研究發(fā)現(xiàn)納米晶粒呈寬尺寸和梯度分布時,其強度、塑韌性都能得到明顯提高。因此,制得較寬晶粒尺寸分布、甚至成梯度分布的納米金屬材料是提高其綜合力學性能的最有效的方法。
  制備納米晶鍍層有很多方法,如電沉積、脈沖激光沉積、化學氣相沉積和熱噴涂等,其中電沉積法是最方便

2、經濟的一種,能制備出致密的純金屬、合金和復合材料的納米晶鍍層。故本文利用直流電沉積法制備納米晶Ni薄膜,系統(tǒng)分析電流密度和糖精濃度對納米晶Ni沉積速度、晶粒尺寸、結晶取向、顯微硬度和內應力的影響,并研究納米晶Ni晶粒尺寸和熱穩(wěn)定性的關系。研究發(fā)現(xiàn):(1)、電流密度在0.5-1.5A/dm2較小范圍時,調節(jié)糖精濃度可制備出415-603Hv的顯微硬度寬分布的納米晶Ni鍍層。(2)、糖精濃度為1.0g/L時,當電流密度逐漸從0.5A/dm2

3、增加到4.1A/dm2:電沉積速度線性提高,試樣(200)晶面的衍射峰強度逐漸增強;晶粒尺寸逐漸減小,在電流密度為2.2A/dm2時,晶粒尺寸減小為極小值,之后略有增大。(3)、電流密度為0.5A/dm2時,當糖精濃度逐漸從0.4g/L增加到5.0g/L:電沉積速度線性提高,膜層(200)面衍射強度逐漸增強,結晶取向由(111)面擇優(yōu)取向轉變成(200)面擇優(yōu)取向;晶粒尺寸逐漸減小,在2.0g/L時減小為最小值,之后趨于穩(wěn)定;鍍層內應力

4、逐漸減小,并在1.2g/L時基本減小為0MPa。
  不同晶粒尺寸納米晶Ni的DSC曲線分析表明:鍍層晶粒尺寸為10nm時,晶粒在317℃異常長大,且隨著退火溫度的升高,試樣結晶取向由(200)面擇優(yōu)取向轉變成(111)和(200)雙取向結構,而晶粒尺寸為28-77nm時,結晶取向始終是(200)面擇優(yōu)取向,只是其衍射峰強度略降低,晶粒尺寸略微增大。
  由于雜質對納米晶Ni性能的影響明顯,本文還利用第一性原理計算方法,從原

5、子層次分析了不同雜質元素在Ni中的結構穩(wěn)定性,結果顯示:N、O、P、S分別置換固溶于Ni32時,固溶體系形成難易程度為:Ni31N<Ni31O< Ni31S<Ni31P,均滿足熱力學穩(wěn)定條件,但穩(wěn)定性略有差別:Ni31S<Ni31P< Ni31N<Ni31O;由于S的危害最大,重點分析了S的影響,當S以置換形式摻雜Ni8時結構更為穩(wěn)定,其次為OIS(八面體間隙)位置,最不易存在的位置為TIS(四面體間隙);拉應力作用下能提高Ni-S體系

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論