1、與同成分鈮酸鋰(LiNbO3，LN)晶體相比,近化學(xué)計量比NS(Near-stoichiometric,NS) LN晶體主要表現(xiàn)出了兩方面的優(yōu)勢:一是NS LN晶體在實現(xiàn)抗光折變效應(yīng)時,只需摻少量(>0.8mol％)濃度的MgO即可,而在同成分LN晶體中摻入MgO濃度閾值需達到4.9 mol%以上才可以抑制光折變效應(yīng),高摻MgO濃度會嚴(yán)重影響LN晶體的光學(xué)質(zhì)量;另一方面,NS LN晶體制備用于波長轉(zhuǎn)換的周期極化性鈮酸鋰晶體(Period

2、ically Poled LN,PPLN)波導(dǎo)所需鐵電疇反轉(zhuǎn)電壓遠(yuǎn)低于同成分晶體。
　　使用富鋰氣相輸運平衡(Vapor Transport Equilibration,VTE)處理可以使LN晶體的組份達到NS配比。本課題中,以同成分LN晶體為基底,采用鈦擴散和富鋰VTE處理同時進行的方法制備出了不同Ti膜厚度的NS Ti:LN平面光波導(dǎo),并使用棱鏡耦合技術(shù)對波導(dǎo)深度方向上的折射率分布進行表征?？梢园l(fā)現(xiàn),在NS平面波導(dǎo)表面Ti4+

3、濃度(%)TiCmol與折射率變化D之間是近似線性的關(guān)系neDn=2.3810-3e′CTi。
　　由于條形波導(dǎo)的導(dǎo)波區(qū)域相對較窄、折射率差異也很小,使用棱鏡耦合技術(shù)是很難直接測量出其折射率分布的。因此,本文采用近場方法建立了條形波導(dǎo)的折射率模型?；诮鼒龇椒ǖ玫降慕Y(jié)果,研究了無源和有源NS條形波導(dǎo)的模場分布、Ti4+濃度的深度分布以及波導(dǎo)的折射率分布等特征參數(shù)。結(jié)果表明,與同成分Ti:LN條形波導(dǎo)一樣,NS條形波導(dǎo)中Ti4+致折