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![無機光電功能復(fù)合材料的制備及物性研究.pdf_第1頁](https://static.zsdocx.com/FlexPaper/FileRoot/2019-3/14/18/f779e9fc-def1-4c0b-84ca-7bf487e5397b/f779e9fc-def1-4c0b-84ca-7bf487e5397b1.gif)
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文檔簡介
1、無機光電功能復(fù)合材料由于其優(yōu)異的物理性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用前景,一直是材料科學(xué)研究領(lǐng)域的重要研究方向之一。近年來,隨著納米科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,以有序介孔材料作為基體制備無機光電功能復(fù)合材料越來越得到人們的廣泛關(guān)注。介孔材料通常具有孔道均勻、大的比表面以及表面易官能化等特性,如果將第二相納米粒子組裝進(jìn)去形成介孔復(fù)合材料,就會得到更加奇特的光、電、磁等物理特性,這使得介孔復(fù)合體材料一經(jīng)發(fā)現(xiàn)就引起了科學(xué)工作者的極大興趣。介孔復(fù)合材料為新材料的合成和應(yīng)用
2、提供了一個新的途徑,對其的研究具有非常大的理論和現(xiàn)實意義。
AgI是人們最早發(fā)現(xiàn)的固體電解質(zhì)材料,對AgI離子導(dǎo)電性質(zhì)的研究極大的發(fā)展了固態(tài)離子學(xué)。隨著材料科學(xué)的發(fā)展,人們發(fā)現(xiàn)以AgI為基體材料合成出AgI-X型復(fù)合材料后,復(fù)合體系的離子電導(dǎo)率會得到很大程度的提高。隨著納米制備技術(shù)的不斷改進(jìn),人們制備出了各種AgI:X型復(fù)合材料,發(fā)現(xiàn)了非常優(yōu)異的離子輸運和光學(xué)性質(zhì)。
本文首先以有序介孔SBA-15為基體材料,
3、分別制備出y-Fe2O3/SBA-15介孔復(fù)合體材料和AgI/SBA-15介孔復(fù)合體材料,分析了它們的光學(xué)和磁學(xué)等物理性質(zhì);然后以AgI為基體材料,重點討論了AgI-KI三元化合物體系及AgI-K2AgI3、AgI-KAg4I5復(fù)合體系,并討論了它們的光學(xué)和離子輸運等性質(zhì)。具體的研究內(nèi)容如下:
(1)采用兩溶劑法,以介孔材料SBA-15為模板,成功制備出y-Fe2O3/SBA-15納米復(fù)合體材料。XRD及傅立葉變換紅外光譜
4、證實了孔道內(nèi)部的納米粒子是y-Fe2O3,小角XRD和N2吸附.脫附結(jié)果表明y-Fe2O3/SBA-15介孔復(fù)合體系仍然具有和SBA-15相同的高度有序的二維六方孔道結(jié)構(gòu)。紫外.可見吸收譜圖結(jié)果表明,y-Fe2O3/SBA-15介孔復(fù)合體系的帶隙可以通過介孔孔道內(nèi)的納米Υ-Fe2O3的復(fù)合量來進(jìn)行一定的調(diào)節(jié),而且隨著孔道內(nèi)部y-Fe2O3含量的增加,吸收邊呈現(xiàn)藍(lán)移現(xiàn)象,我們將它歸結(jié)為量子尺寸效應(yīng)。VSM結(jié)果說明孔道內(nèi)部的y-Fe2O3納
5、米粒子具有超順磁的特性,而且隨著孔道內(nèi)部y-Fe2O3復(fù)合量的增加,樣品的飽和磁化強度增加,這主要是和孔道內(nèi)Υ-Fe2O3的顆粒尺寸增大有關(guān)。
(2)采用熱擴(kuò)散法,以SBA-15為基體成功制備出AgI/SBA-15介孔復(fù)合體材料。XRD結(jié)果顯示,復(fù)合體系內(nèi)存在于介孔SBA-15孔道內(nèi)的AgI其形態(tài)是納米團(tuán)簇,只有當(dāng)AgI的復(fù)合量較多時(大于15%),復(fù)合體系中才有AgI納米晶的信息出現(xiàn)。EDS和EPR分析表明復(fù)合體系中還存
6、在Ag團(tuán)簇,它分布在AgI團(tuán)簇的表面,并在激發(fā)譜上表現(xiàn)出激發(fā)能級。另外,紫外.可見反射譜圖的吸收邊位置出現(xiàn)明顯的藍(lán)移現(xiàn)象,并有一定程度的帶尾態(tài)出現(xiàn)。對于吸收邊的藍(lán)移,我們認(rèn)為是量子尺寸效應(yīng)造成的;對于帶尾態(tài)的產(chǎn)生,我們則將其歸結(jié)為AgI界面處存在的不飽和的懸鍵所致。在復(fù)合體系的發(fā)射譜上還發(fā)現(xiàn)了620nm附近的發(fā)光峰,該峰還未曾報道過。由激發(fā)譜分析,我們將620nm左右的發(fā)光歸結(jié)為AgI表面Ag團(tuán)簇的激發(fā)態(tài)能級和AgI團(tuán)簇表面空穴陷阱的缺
7、陷能級之間的復(fù)合發(fā)光,并給出了發(fā)光機制的能級結(jié)構(gòu)圖。
(3)采用固相反應(yīng)法,以AgI為基體成功制備出K2AgI3-AgI復(fù)合體系。XRD結(jié)果表明復(fù)合體系主體為K2AgI3相,并含有微量的AgI。根據(jù)吸收譜3.27eV附近的吸收帶和EPR譜圖的g值,我們確定了復(fù)合體系內(nèi)存在STH缺陷。在光致發(fā)射譜上發(fā)現(xiàn)了一個608nm附近的新的強發(fā)射峰,該峰較寬,且具有較大的斯托克斯光譜位移,而且隨著測量溫度的增加,發(fā)射峰的峰位有一定的藍(lán)移
8、。新的608nm附近發(fā)光峰的發(fā)光機制,我們將其歸結(jié)為自陷態(tài)激子的躍遷復(fù)合發(fā)光,并給出了發(fā)光過程的能級結(jié)構(gòu)圖。
(4)采用固相反應(yīng)法,以AgI為基體成功制備出KAg4I5粉末和KAg4I5-AgI復(fù)相體系材料。XRD結(jié)果顯示,KAg4I5在室溫下不能穩(wěn)定存在,室溫很容易分解為β-AgI和K2AgI3。KAg4I5在室溫下是優(yōu)質(zhì)的固體電解質(zhì)材料,而室溫下β-AgI為非快離子導(dǎo)體,只有在β→α相變溫度以上成為快離子相α-AgI后
9、,其離子電導(dǎo)率才激增為10-1S/cm,表現(xiàn)為快離子導(dǎo)體。KAg4I5-AgI復(fù)合體系的離子電導(dǎo)率與β→α的相變有關(guān),在相變溫度以下,復(fù)合體系的離子電導(dǎo)率是KAg4I5和β-AgI離子電導(dǎo)率的加權(quán)值;在相交溫度以上,復(fù)合體系的離子電導(dǎo)率則要高于純的KAg415和純的α-AgI,我們認(rèn)為存在于KAg4I5-AgI復(fù)相體系兩相間的相互作用使得相界面位置處的Ag+和空位具有了很高的遷移率。KAg4I5-AgI復(fù)相體系離子電導(dǎo)率的升降溫曲線構(gòu)成
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