1、對(duì)Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)材料在深低溫、高磁場下的磁電阻變化進(jìn)行研究，可以獲得異質(zhì)結(jié)勢阱中二維電子氣的相關(guān)信息，為材料的應(yīng)用打下良好的基礎(chǔ)，本文得到的主要結(jié)果有:
　　 1、用標(biāo)準(zhǔn)法對(duì)In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As量子阱樣品在1.5～10K溫度范圍內(nèi)、0～10T磁場下進(jìn)行磁輸運(yùn)測試，觀察到明顯的磁電阻振蕩和拍頻現(xiàn)象。分析表明，電子占據(jù)了兩個(gè)子帶，拍頻效應(yīng)是第一子帶的自旋分裂造成的。第一子帶自旋向上和自旋向

2、下的電子有效質(zhì)量分別為m+=0.047m0，m-=0.045m0。由此計(jì)算得到的不同自旋態(tài)的自旋-軌道耦合因子為α+=8.09×10-13 eVm，α-=8.64×10-13 eVm，比常規(guī)方法算得的結(jié)果（α=6.45×10.12 eVm）小1個(gè)數(shù)量級(jí)，說明此時(shí)自旋-軌道耦合因子已經(jīng)不是自旋分裂能的主要影響因素。
　　 2、在溫度1.4～25K，磁場0～13T條件下，用范德堡法對(duì)GaN/AlxGa1-xN異質(zhì)結(jié)樣品進(jìn)行磁輸運(yùn)測試