1、近年來，納米薄膜的結(jié)構(gòu)特殊，是一種有著良好性能的新型薄膜材料。納米膜技術(shù)被應(yīng)用于科學(xué)技術(shù)的各個(gè)領(lǐng)域，改變著人們的傳統(tǒng)生產(chǎn)觀念。一般的薄膜是生長(zhǎng)而成的，這是極其復(fù)雜的動(dòng)力學(xué)過程，生長(zhǎng)過程及其相互作用影響著薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和性能。計(jì)算模擬技術(shù)的成熟，在原子尺度上模擬了原子和分子的成膜過程，使得實(shí)驗(yàn)中無法直接觀察的過程實(shí)現(xiàn)可視化。
　　本文利用蒙特卡羅法(Monte Carlo)構(gòu)造了單原子Ag、二元金屬Ti-Al以及多原子Ti-Si-N

2、的薄膜生長(zhǎng)模型，從微觀角度研究了其三維生長(zhǎng)過程。Ag薄膜模型為六邊形基底網(wǎng)格，Ti-Al薄膜和Ti-Si-N薄膜模型為四邊形基底網(wǎng)格，并采用周期性邊界條件處理邊界問題。薄膜生長(zhǎng)主要考慮了三個(gè)動(dòng)力學(xué)過程，即沉積、擴(kuò)散和脫附，并利用半經(jīng)驗(yàn)對(duì)勢(shì)來計(jì)算原子的擴(kuò)散激活能。三個(gè)過程相互獨(dú)立且依據(jù)各自的概率發(fā)生，但同時(shí)擴(kuò)散和脫附過程又與沉積過程息息相關(guān)，通過模擬計(jì)算，詳細(xì)地分析了在薄膜生長(zhǎng)初期基底溫度和沉積速率對(duì)島過渡形態(tài)的影響。
　　模擬結(jié)果