1、‘|Athesis(dissertation)submittedtoZhengzhouUniversityforthedegreeofMasterEffectsofSurfaceModificationontheGassensingPropertiesofNanocrystallineSn02ByhongyantangSupervisor：DocterzilizhanChemicalTechnology一—SchoolofChemica

2、landEnergyEngineeringMay2011門摘要摘要半導體氧化物由于其對易燃性氣體和毒氣的高敏感性，被廣泛地用作氣體敏感材料。N型半導體材料Sn02，無論是厚膜傳感器還是薄膜傳感器，是其中最廣泛研究的材料。但是Sn02基氣體傳感器具有熱穩(wěn)定性差、選擇性差等缺點。提高Sn02基氣體傳感器的靈敏度和選擇性是滿足氣體傳感器日益智能化的一項重要課題。降低Sn02顆粒大小和對Sn02進行表面改性也是改善和提高SnOz的靈敏度、選擇性

3、和熱穩(wěn)定性的重要手段。利用化學沉淀法和硝酸氧化法制備納米Sn02粉體。SEM圖片表明硝酸氧化法在600。C煅燒制備的Sn02粉體的平均粒徑為19nm，且形狀為分布均勻的球狀顆粒。FTIR結果表明Sn02粉體表明存在羥基。通過低溫蒸鍍的方法對Sn02基厚膜氣敏元件表面獲得一層有機硅烷，經(jīng)過高溫煅燒，最終在Sn02基氣敏元件表面獲得一層Si02。低溫蒸鍍后Sn02基氣敏元件在260“C對1000ppmH2的靈敏度為539，對100ppmC：

4、H50H的靈敏度為45。Si02層起到分子篩的作用，可以控制大分子氣體的擴散速度，提高Sn02氣敏元件對H2的靈敏度和選擇性。提出了低溫蒸鍍改性氣敏元件的工作原理。利用FTIR，XRD，SEM等表征手段對改性前后的元件進行了表征。利用有機硅烷的有機基團與Sn02顆粒表面的羥基發(fā)生脫醇一縮合反應，使Si以SnOSi鍵的形式化學鍵合在Sn02表面，從而在Sn02顆粒表面獲得一層Si02。通過FT1R，XRD，SEM等表征手段對改性的Sn02