1、溫度是影響材料熱輻射物性的最為重要的狀態(tài)參數(shù)之一。對材料熱輻射物性的溫度依賴性的理論研究有助于理解溫度影響熱輻射物性的微觀機理，從而應用于輻射調控等領域以實現(xiàn)特定的功能。第一性原理方法因其直接從量子力學基本方程出發(fā)的特點而被廣泛地應用于預測材料的真實物性。特別是在高溫等實驗條件難以達到的條件下，第一性原理方法可以有效地輔助實驗，甚至在實驗的基礎上對材料的真實物性做出外延性的預測。半導體材料光學性質的溫度依賴性對于半導體工業(yè)及其相關應用至

2、關重要。盡管如此，已有研究絕大多數(shù)為基于實驗數(shù)據(jù)擬合的經(jīng)驗方法，直接從第一性原理出發(fā)預測其溫度依賴的光學性質的學術研究并不多見。本文以半導體材料硅和砷化鎵為例，基于第一性原理方法研究其紫外—可見光譜與紅外光譜的溫度依賴性，為進一步實現(xiàn)材料宏觀輻射特性的調控提供理論依據(jù)。
　　電子—聲子相互作用是半導體材料紫外—可見光譜溫度依賴性的物理根源。本文結合考慮電子—聲子相互作用對電子能帶結構的熱修正及激子效應對激發(fā)態(tài)電子帶間躍遷的影響，提

3、出了計算半導體材料紫外—可見光譜溫度依賴性的“從頭算”第一性原理方法。計算了硅室溫及高溫條件下的晶格熱膨脹效應及電子能帶結構熱修正，進一步得到溫度依賴的紫外—可見光譜。計算結果與實驗結果在室溫下定量符合，推廣至高溫條件下定性符合。分析了溫度對硅紫外—可見光譜影響的一般規(guī)律及影響計算精度的可能因素。
　　聲子—聲子相互作用是半導體材料紅外光譜溫度依賴性的物理根源。本文基于阻尼諧振子模型，考慮聲子—聲子相互作用對聲子能帶結構的熱修正，