溶膠-凝膠法制備氧化鋅薄膜晶體管的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、薄膜晶體管是一種利用柵極與源漏電極之間的電場來改變半導(dǎo)體薄膜材料導(dǎo)電能力的絕緣柵型場效應(yīng)晶體管，是有源矩陣液晶顯示技術(shù)的核心元件。氧化鋅是一種寬禁帶、直接帶隙化合物半導(dǎo)體材料，在可見光區(qū)具有很高的透過率，室溫下的電子遷移率較高，且光敏感性弱，制備的器件性能穩(wěn)定。
　　 本文闡述了氧化鋅和二氧化硅薄膜的基本性質(zhì)及制備方法。采用溶膠-凝膠法分別制備了氧化鋅和二氧化硅薄膜。通過熱重-差熱分析得出，二氧化硅薄膜顆粒的生長在485℃左右基

2、本完成，而氧化鋅薄膜晶粒的生長和晶向的形成在500℃左右基本完成。通過X射線衍射分析，探討了不同預(yù)熱溫度對ZnO薄膜晶粒取向的影響。通過掃描電子顯微鏡，對比了不同襯底對薄膜晶粒大小的影響。通過紫外-可見分光光度計，分析了不同薄膜層的透過率，擬合了薄膜的光學(xué)禁帶寬度。重點研究了氧化鋅薄膜晶體管的制備過程及參數(shù)提取方法。采用溶膠-凝膠法在ITO玻璃襯底上制備了氧化鋅和二氧化硅薄膜，所得二氧化硅/氧化鋅復(fù)合薄膜的可見光透過率達(dá)到80％以上。然

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