1、碳化硅（SiC）是一種耐腐蝕、抗氧化，耐高溫的寬帶隙半導體材料，其納米材料具備獨特的理化性能，在基礎研究以及納米器件、光子器件、復合材料、能源材料和生物醫(yī)藥等領域引起了廣泛的關注。本文采用溶劑熱法，以聚甲基硅烷（PMS）為原料，在不使用任何催化劑的條件下成功的制備了SiC零維材料量子點，并對其進行了詳細的組成、結構和性能表征；在添加催化劑、輔助試劑、生長基底和調節(jié)反應時間的基礎上，制備了SiC納米線，同時對產物進行了詳細的組成、結構和相

2、關性能的表征。
　　以PMS為原料，在550℃下，通過溶劑熱法制備的SiC量子點呈球狀，粒徑分布為2.5-5nm。其通過PMS裂解后原子重排而成，通過紅外表征發(fā)現(xiàn)其表面覆蓋有一層Si-CH3，而這對于量子點的光學性能和穩(wěn)定性有重要意義。SiC量子點熒光特性主要表現(xiàn)為激發(fā)波長范圍寬，可以在250-400nm范圍內激發(fā)，發(fā)光區(qū)域集中于藍紫光區(qū)，發(fā)光穩(wěn)定性好，熒光壽命長，抗光漂白能力強，能在酸性和堿性條件下保持很好的熒光特性。研究了恒溫

3、時間對SiC量子點的形成和發(fā)光性能的影響。結果表明隨著恒溫時間的增加，量子點的粒徑沒有明顯變化，但量子點的濃度會增大，同時發(fā)現(xiàn)在恒溫時間為1h時制備的量子點量子產率最高，可達到92％，恒溫時間的減少和繼續(xù)增加都將減低量子點的量子產率。
　　在溫度為550℃，壓力為8-10MPa條件下，通過調節(jié)實驗其他影響因素，制備得到了SiC片狀、球狀、線狀和量子點納米結構。在添加輔助試劑PVP、乙醇，添加載體硅片、瓷舟和延長恒溫時間時得到了納米