1、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，簡稱MOCVD)是制備混合半導(dǎo)體器件、金屬及金屬氧化物、金屬氮化物薄膜材料的一種技術(shù)。加熱系統(tǒng)是MOCVD 設(shè)備的重要組成部分，它能否快速、均勻的加熱襯底，直接影響著薄膜沉積的質(zhì)量、厚度一致性，以及芯片的性能。每一個不同的MOCVD 腔體都需要與之相匹配的加熱裝置。
　　 本文分析了MOCVD 設(shè)備的具體結(jié)構(gòu)和組成部分，對國內(nèi)

2、外現(xiàn)有設(shè)備的典型腔體結(jié)構(gòu)和加熱器結(jié)構(gòu)進(jìn)行了對比分析，總結(jié)其優(yōu)缺點，選用技術(shù)較成熟且加熱性能較好的電阻片式加熱器進(jìn)行研究。并從基礎(chǔ)理論入手，運用流體與熱耦合的方法對MOCVD 加熱器行有限元模擬仿真，設(shè)計了一種 I /53適用于緩沖分布式噴淋（BDS）反應(yīng)腔體，能夠大面積均勻加熱石墨盤的電阻片式加熱器，并提出了一種能夠簡單實現(xiàn)解耦合的三區(qū)電阻片分布形式。在本文中對加熱器在不同流場環(huán)境、不同溫度段下的加熱性能通過模擬仿真的方式進(jìn)行了詳細(xì)研究