非晶硅薄膜生成和拉伸的分子動(dòng)力學(xué)模擬.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文用分子動(dòng)力學(xué)方法,模擬了在不同的條件(基底溫度、入射溫度、入射角度和入射速度)下在晶體硅基底上生成非晶硅薄膜的過程,并分析了這些條件對(duì)薄膜形態(tài)和結(jié)構(gòu)的影響。
　　 通過對(duì)薄膜的分析發(fā)現(xiàn):1.在入射溫度、入射方向和入射速度固定的條件下,薄膜的表面組糙度隨著基底溫度升高而逐漸降低,且當(dāng)基底溫度大于或接近入射溫度時(shí),薄膜底部有明顯的晶化現(xiàn)象,晶化程度隨著基底溫度的降低逐漸減小。2.在基底溫度、入射方向和入射速度固定的條件下,薄膜的

2、表面粗糙度隨著入射溫度的升高而逐漸降低,且當(dāng)入射溫度小于或接近基底溫度時(shí),薄膜底部有明顯的晶化現(xiàn)象,晶化程度隨著入射溫度的升高逐漸減小。3.在基底溫度、入射溫度和入射速度固定的條件下,薄膜的表面粗糙度隨著入射角度的減小而增大,且當(dāng)入射減小到一定度數(shù)時(shí),薄膜底部開始出現(xiàn)晶化現(xiàn)象,晶化程度隨入射角度的降低而逐漸變大。4.在基底溫度、入射溫度和入射角度固定的條件下,薄膜的表面粗糙度隨著入射速度的降低而逐漸減小,且當(dāng)入射速度較大時(shí),薄膜底部會(huì)出

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