SOI SiGe HDTMOS器件及電路研究.pdf_第1頁
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文檔簡(jiǎn)介

1、該文利用SIVACO的工藝和器件模擬軟件,對(duì)SOI SiGe HDTMOS作了完整的理論研究.首先,分析了DTMOS的工作原理,介紹了DTMOS的靜態(tài)、動(dòng)態(tài)和功耗模型.而后,深入探討SiGe層的引入對(duì)P管的性能的提高,表明驅(qū)動(dòng)電流提高了一倍以上,隨后闡述了重要參數(shù)的變化規(guī)律;研究指出,SiGe層對(duì)N管的影響近可忽略.綜合此二點(diǎn),通過改造DTMOS模型,得到了SOI SiGe HDTMOS的普遍模型.最后,借所得的模擬結(jié)果的分析,首次提出

2、了SOI SiGe HDTMOS的準(zhǔn)雙柵近似,從而給出了相應(yīng)的I-V方程,其結(jié)果與模擬結(jié)果相一致 .為了驗(yàn)證SOI SiGe HDTMOS在電路上的優(yōu)異性能,我們選擇了兩個(gè)典型的電路:環(huán)形振蕩器和傳輸門邏輯.SPICE模擬結(jié)果表明,振蕩器的頻率提高了30﹪以上,邏輯傳輸延遲縮小了近50﹪.該文利用SIVACO的模擬結(jié)果,優(yōu)化了器件的關(guān)鍵工藝參數(shù),改進(jìn)了器件和電路的光刻版圖.利用UHV/CVD鍺硅外延工藝和CMOS流水工藝在SOI襯底上制

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