超短激光脈沖表面微構(gòu)造硅及其光電性質(zhì)的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在一定環(huán)境氣體氛圍下,用超短激光脈沖照射硅片表面,會在硅表面產(chǎn)生準(zhǔn)規(guī)則排列的錐形尖峰結(jié)構(gòu)。這些錐形尖峰結(jié)構(gòu)的尺度和間距都在微米量級。經(jīng)過表面微構(gòu)造的硅材料,光吸收效率顯著提高,尤其是在紅外波段,光吸收的增強(qiáng)更為明顯。對這一現(xiàn)象的研究,不僅是激光與物質(zhì)相互作用的基本課題,也具有巨大的潛在應(yīng)用價值,具有重大的理論意義和現(xiàn)實(shí)意義。
   建立了利用超短激光脈沖對硅表面進(jìn)行微構(gòu)造的實(shí)驗(yàn)裝置,對硅表面微結(jié)構(gòu)的形成及其光吸收性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)的

2、研究。結(jié)果表明,激光通量和環(huán)境氣體對表面微觀結(jié)構(gòu)的形成起著決定性的作用。只有在SF6氣體氛圍下,才能形成尖銳的錐形尖峰結(jié)構(gòu)。尖峰的高度和間距都隨著激光通量的增加而增大。
   研究了不同激光通量,SF6和N2氛圍條件下制備的、具有不同峰高的表面微構(gòu)造硅材料的光吸收性質(zhì),結(jié)果表明表面微構(gòu)造硅材料在0.3~16.7μm波長范圍內(nèi)的光吸收率顯著提高。SF6氛圍下制備的表面微構(gòu)造硅材料的光吸收率在整個測量波段范圍內(nèi)可保持在80%以上;N

3、2氛圍下制備的表面微構(gòu)造硅材料在0.3~1.1μm和9~14μm波段的光吸收率可保持在80%以上,但是在3~7μm處形成一個低吸收帶。表面微構(gòu)造硅這種極好的光吸收特性使其在高效硅太陽能電池、全波段光探測器、激光功率計、光通信和遙感等領(lǐng)域具有巨大的潛在應(yīng)用價值。
   鑒于表面微構(gòu)造硅具有增強(qiáng)的光吸收特性,且其表面具有微結(jié)構(gòu)形貌,在其表面蒸鍍了一層金屬薄膜,借以研究具有復(fù)雜微結(jié)構(gòu)的金屬薄膜的光吸收性質(zhì)。
   在對表面微構(gòu)

4、造硅進(jìn)行光學(xué)測量的基礎(chǔ)上,制作了基于表面微構(gòu)造硅這一新材料的太陽能光伏原型器件,對其光伏性質(zhì)進(jìn)行了研究。在He-Ne激光器632.8nm譜線的照射下,該器件分別產(chǎn)生了0.11mA的短路電流和53.3 mV的開路電壓。對應(yīng)的材料外量子效率達(dá)到了112.9%。對于其外量子效率大于1這一反常現(xiàn)象我們也進(jìn)行了分析,并準(zhǔn)備展開進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)工作進(jìn)行驗(yàn)證。
   最后,研究了不同氣體氛圍下超短激光脈沖與金的相互作用,特別是在空氣中的相互作用。

5、實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)超短激光脈沖與金的相互作用可以劃分為高、中、低三個激光通量區(qū)域。在高通量區(qū)域,觀察不到表面波的存在,只能看到顆粒以及顆粒團(tuán)簇。在中等通量區(qū)域,可以觀察到表面波結(jié)構(gòu)的存在,其周期長度與飛秒激光脈沖的中心波長相當(dāng),均在亞微米量級,這與瑞利衍射條件的理論預(yù)期完全一致。在低通量區(qū)域,觀察到反常的表面波結(jié)構(gòu),其周期長度在20μm以上,遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于入射飛秒激光脈沖的中心波長,這是用瑞利衍射條件所無法解釋的。反常表面波結(jié)構(gòu)的形成,認(rèn)為是應(yīng)力釋放或

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