低溫制備Si薄膜過程中的Al誘導(dǎo)晶化.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、　　本文以低溫下直接在玻璃襯底上大面積制備μc-Si薄膜為研究目標，發(fā)展了已開發(fā)的裝置簡單、能夠產(chǎn)生大面積、高均勻度和高電子密度等離子體的電感耦合射頻等離子體化學(xué)氣相沉積(ICP-CVD)技術(shù)，創(chuàng)造性地引入了Al誘導(dǎo)晶化技術(shù)。主要開展了以下方面的工作：　　利用ICP-CVD在鍍Al玻璃襯底上直接制備出性能優(yōu)良的μc-Si薄膜。研究了制備工藝參數(shù)對薄膜微結(jié)構(gòu)的影響，發(fā)現(xiàn)在襯底溫度低于350℃，不能得到μc-Si薄膜?！　l在薄膜生長

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