1、透明導(dǎo)電氧化物作為一種重要的光電子信息材料,在薄膜太陽能電池、傳感器、平板液晶顯示器和紅外反射器等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。在這類材料中,氧化鋅(ZnO)是一種寬禁帶(3.3eV)的n型半導(dǎo)體材料,易產(chǎn)生缺陷和進行雜質(zhì)摻雜。相對于銦錫金屬氧化物(ITO)和氟摻雜SnO2(FTo)而言,具有原材料資源豐富、價格低廉,沉積溫度相對較低和在氫等離子體環(huán)境中穩(wěn)定性好等優(yōu)點,是一種希望的TCO材料。人們已經(jīng)采用多種薄膜生長技術(shù)來制備ZnO基透明導(dǎo)電薄

2、膜,其中磁控濺射因沉積系統(tǒng)相對簡單、易操作,成膜質(zhì)量好,可實現(xiàn)大面積鍍膜,有利于工業(yè)化生產(chǎn)。
　　 在磁控濺射ZnO中,正負離子對襯底的轟擊直接影響到薄膜的質(zhì)量。CIGS太陽電池工藝中,需要在CdS薄膜上濺射ZnO薄膜,離子的轟擊還會損傷CdS層,更需要注意。因此,開展磁控濺射中正負離子對薄膜生長影響的研究非常有意義。
　　 論文首先研究了負離子在濺射過程中對ZnO:A1薄膜光電特性的影響。研究發(fā)現(xiàn),濺射中的負離子會對薄