1、近年來通過科學(xué)研究發(fā)現(xiàn)了熔融Bi2O3-SiO2系統(tǒng)具有各項(xiàng)異性的性質(zhì)，但是目前對(duì)該系統(tǒng)的全面研究仍十分欠缺，晶體生長(zhǎng)規(guī)律探索與完善、晶體性能的不斷改善與提升，晶體生長(zhǎng)最佳條件的確定、熔體奇異現(xiàn)象及其對(duì)結(jié)晶的影響因素還未研究透徹，諸多的現(xiàn)象仍然無(wú)法解釋。因此開展該系統(tǒng)熔體結(jié)構(gòu)特性、高溫反應(yīng)過程和結(jié)晶行為的研究，對(duì)發(fā)展該系統(tǒng)新功能晶體材料具有迫切而現(xiàn)實(shí)的意義。
　　 本文以Bi2O3，SiO2為原料，通過固相合成法制備了不同配比B

2、i2O3-SiO2粉體，研究了不同粉體制備的最佳工藝，通過自主設(shè)計(jì)設(shè)備重點(diǎn)研究了其在熔融狀態(tài)下升溫與降溫階段的電導(dǎo)率變化，主要內(nèi)容如下：
　　 設(shè)計(jì)研發(fā)了一種專門測(cè)試高溫熔體電導(dǎo)率的裝置。重點(diǎn)考察了設(shè)備的加熱裝置，隔熱保溫材料，熔體溫度的實(shí)時(shí)測(cè)定，電極的選擇等幾個(gè)方面。該設(shè)備加熱最高溫度可到1600K，特點(diǎn)在于其操作方便，溫度控制精確，數(shù)據(jù)收據(jù)準(zhǔn)確等，利于研究高溫熔體的電導(dǎo)率。
　　 通過固相法分別合成了Bi12SiO2

3、0，Bi2SiO5與Bi4Si3O12粉體；通過研究結(jié)果表明：Bi12SiO20，Bi2SiO5與Bi4Si3O12最佳合成溫度分別為1016K，1083K與1160K，最佳配比分別為6.1：1、1.05：1與2.05:3，當(dāng)粉體配比低于或高于此配比時(shí)，由于Bi2O3高溫?fù)]發(fā)性固相反應(yīng)無(wú)法達(dá)到平衡，產(chǎn)物粉體中均會(huì)出現(xiàn)雜相。
　　 通過自主設(shè)計(jì)研發(fā)電導(dǎo)率測(cè)試設(shè)備分別研究分析了Bi2O3、Bi12SiO20、Bi2SiO5與Bi4S

4、i3O12在熔融狀態(tài)下，在升溫和降溫過程中電導(dǎo)率的變化情況，研究結(jié)果表明不同配比Bi2O3-SiO2粉體高溫熔融后，電導(dǎo)率隨著溫度的變化不斷升高，當(dāng)溫度到達(dá)一定階段，由于體系內(nèi)官能團(tuán)與粒子的熱運(yùn)動(dòng)達(dá)到平衡，電導(dǎo)率達(dá)到穩(wěn)定值，溫度升高不會(huì)影響電導(dǎo)率的增加。在冷卻過程中，由于Bi2O3-SiO2體系熔體具有較大的過冷度，結(jié)晶趨勢(shì)較強(qiáng)，故降溫階段電導(dǎo)率相對(duì)升溫階段變化率較大。
　　 通過經(jīng)典熔體模型與熔體結(jié)構(gòu)理論研究了熔融后熔體內(nèi)部結(jié)