1、硒化物納米材料是重要的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的光電性能和抗磁性質(zhì)，在非線性光學(xué)、電磁學(xué)、光電子學(xué)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。例如，硒化物納米材料已被用于太陽能電池、傳感器、生物醫(yī)學(xué)、選擇性電極、整流器等領(lǐng)域。因此，硒化物納米材料是當(dāng)前國內(nèi)外材料領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。
　　 本論文以硒納米材料為模板，分別與不同的金屬無機(jī)鹽反應(yīng)制備了多種硒化物納米材料，研究了制備反應(yīng)的影響因素，并采用電子透射電鏡(TEM)、X射線衍射儀(XRD)、熒光光

2、譜儀(PL)、紫外-可見光光譜儀(UV)等對產(chǎn)物進(jìn)行了表征。另外，研究了硒化物納米材料的熒光性質(zhì)和電化學(xué)性質(zhì)。
　　 本論文主要內(nèi)容如下：
　　 1.PbSe納米棒的模板合成及其性質(zhì)研究
　　 在表面活性劑十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)存在下，利用N2H4·H2O還原H2SeO3合成出單質(zhì)硒納米管，然后以硒納米管為模板，與Pb(NO3)2和N2H4·H2O反應(yīng)制備了PbSe納米棒。采用TEM、XRD等方法對產(chǎn)物

3、進(jìn)行了表征。探討了PbSe納米棒的形成機(jī)理和制備反應(yīng)的影響因素。測定了產(chǎn)物的熒光性質(zhì)，并利用電位掃描伏安法研究了所得PbSe納米棒的電化學(xué)性質(zhì)。電化學(xué)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，所得產(chǎn)物在堿性介質(zhì)中具有較高的電化學(xué)活性。
　　 2.CuInSe2納米棒模板法合成及電化學(xué)性質(zhì)
　　 以預(yù)先制備的Se納米管作為反應(yīng)模板，在還原劑水合肼存在下，與CuSO4和In2(SO4)3反應(yīng)制備了CuInSe2納米棒。采用TEM、XRD等對產(chǎn)物進(jìn)行了表

4、征，探討了形成機(jī)理，研究了制備反應(yīng)的影響因素，并利用電位掃描伏安法測定了所得CuInSe2納米棒的電化學(xué)性質(zhì)。電化學(xué)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，所得產(chǎn)物在酸性介質(zhì)中具有較高的電化學(xué)活性。
　　 3.FeSe2納米晶的常壓合成及性質(zhì)研究
　　 首先利用N2H4·H2O還原H2SeO3合成出單質(zhì)硒納米晶，硒納米晶再與FeSO4反應(yīng)制備了FeSe2納米晶。研究了制備反應(yīng)的影響因素，并采用TEM、XRD、PL等方法對產(chǎn)物進(jìn)行了表征。測定了產(chǎn)物

5、的熒光性質(zhì)，利用電位掃描伏安法測定了所得FeSe2納米晶的電化學(xué)性質(zhì)。電化學(xué)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，所得產(chǎn)物在酸性介質(zhì)中具有較高的電化學(xué)活性。
　　 4.Cu2Se納米棒的模板合成及其性質(zhì)
　　 以預(yù)先制備的硒納米管為模板，與CuSO4和N2H4·H2O反應(yīng)制備了Cu2Se納米棒。采用TEM、XRD等方法對產(chǎn)物進(jìn)行了表征。探討了Cu2Se納米棒的形成機(jī)理。測定了產(chǎn)物的熒光性質(zhì)，并利用電位掃描伏安法研究了所得Cu2Se納米棒的電化學(xué)