1、ZnO是Ⅱ一Ⅵ族化合物，儲量豐富，具有半導體、光電、熱電、壓電、光催化、氣敏、生物相容等優(yōu)良性質。在ZnO中進行其它元素的摻雜，可以改善和提高其性能，應用于各種傳感器件、發(fā)光器件和顯示器件中。Al摻雜的ZnO(AZO)導電薄膜成本低廉，可替代昂貴的氧化銦錫(ITO)作電極。在ZnO中摻雜Mg元素可以調節(jié)ZnO的禁帶寬度，制備日盲探測器和紫外發(fā)光器件。
　　 靜電紡絲法是一種裝置簡單、成本低廉、生產納米纖維膜的方法。我們采用靜電紡

2、絲法在Si基底上制備了不同Mg摻雜濃度的ZnO納米纖維膜，利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)、光致發(fā)光(PL)等手段對不同Mg摻雜濃度ZnO納米纖維膜的表面形貌、晶體結構、化學成分、發(fā)光性能進行研究。掃描電鏡結果表明MgxZn1-xO納米纖維的直徑在50-100nm。XRD結果表明在Mg摻雜濃度低于15％(x=0.15)時，晶體呈現ZnO六角纖鋅礦結構，當摻雜濃度達到20％(x=0.2)時，晶

3、體出現了MgO的分相。XPS結果表明Mg已成功摻入到ZnO納米纖維中。光致發(fā)光譜表明MgxZn1-xO具有較強的紫外發(fā)射，而對于可見光的發(fā)射幾乎觀察不到，且隨著Mg摻雜濃度的增加，發(fā)光峰明顯出現藍移，最大藍移波長22nm，實現了對ZnO能帶的剪裁。
　　 采用靜電紡絲法在Si基底上制備了不同Al摻雜濃度的ZnO纖維膜。研究了Al摻雜濃度對ZnO纖維膜表面形貌、晶體結構、光致發(fā)光和伏安特性的影響。SEM結果表明摻入導電性強的離子型

4、鹽類AlCl3后，更利于紡絲過程的進行，得到直徑更小、均一程度更好的纖維。XRD結果表明Al摻雜濃度在8％以內時，不影響樣品的晶體結構，晶體只呈現ZnO的六角纖鋅礦結構。PL譜表明Al摻雜可以大大提高ZnO紫外發(fā)光強度，而對ZnO紫外發(fā)光峰的峰位置影響不大，只在很小的范圍內發(fā)生移動。在對Al摻雜ZnO纖維膜的場發(fā)射測試中發(fā)現，Al摻雜ZnO纖維膜具有電阻開關的特性。
　　 我們采用靜電紡絲結合水熱法制備了ZnO納米纖維-納米棒復