1、采用recursion方法對(duì)鹵素?fù)诫s的Y-Ba-Cu-O和(GaN)/(AlN)(001)應(yīng)變超晶格的電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行了計(jì)算.recursion方法不需求解繁瑣的Schrodinger方程而直接求出態(tài)密度,具有計(jì)算量小、能處理非周期性問題等優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛運(yùn)用.鹵素?fù)诫s的計(jì)算結(jié)果表明:Y-Ba-Cu-O-X的品格中Y和Ba主要起提供電子的作用,Cu(1)和Cu(2)的態(tài)密度高度局域;結(jié)合態(tài)密度曲線分析了原胞中各原子的成鍵情況;各個(gè)位置上摻F的

2、結(jié)果都使費(fèi)米能E<,F>有所降低,費(fèi)米能處的態(tài)密度N(E<,F>)增大;通過比較各個(gè)模型結(jié)構(gòu)能的大小,認(rèn)為F最有可能占據(jù)空的O(5)位和替代鏈O(1);對(duì)比了F、Cl、Br分別替代鏈O(1)后其態(tài)密度及費(fèi)米能的差異;最后從電荷轉(zhuǎn)移模型出發(fā),分析了鹵素?fù)诫s對(duì)Y-Ba-Cu-O超導(dǎo)體電荷分布的影響,探討了鹵素?fù)诫s使超導(dǎo)電性得以改善的原因.該文的計(jì)算結(jié)果將有助于了解鹵素?fù)诫s使超導(dǎo)電性改善的機(jī)理,從而對(duì)進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)提供理論的指導(dǎo).通過對(duì)YBaC

3、uO等體系的摻雜研究,有可能發(fā)現(xiàn)T<,c>更高的超導(dǎo)體.該文第二部分計(jì)算了Free-Standing生長(zhǎng)的(GaN)/(AlN)(001)應(yīng)變層超晶格(SLS)的電子結(jié)構(gòu),具體進(jìn)行了以下一些工作:對(duì)比了GaN、AlN體材料及其形成超品格后的態(tài)密度、能隙;接著分析了存在Ga空位和N空位時(shí)超晶格電子結(jié)構(gòu)的變化,結(jié)果表明空位的存在會(huì)在帶隙中產(chǎn)生相應(yīng)的雜質(zhì)能級(jí);還計(jì)算了在超晶格引入Mg、C摻雜,對(duì)超晶格電子結(jié)構(gòu)的影響;分析了超晶格層數(shù)n對(duì)其態(tài)密