1、電力半導體元件隨著電力電子技術發(fā)展的需要，不斷改進、革新，從SCR、GTO、功率MOSFET、IGBT、MCT到HVIC等；各種元件適合著一定的應用領域的需要，性能在不斷的提高和改善；晶閘管也不斷的向更大功率發(fā)展，在整流領域發(fā)揮自己的作用。 在向市場提供大功率晶閘管元件以及相關技術服務的過程中，元件參數(shù)的一致性對許多實際應用至關重要，特別是通態(tài)特性的一致性，通態(tài)特性主要表現(xiàn)為通態(tài)電壓。本文在p-i-n二極管模型的基礎理論上，推導

2、元件體壓降、結壓降和接觸壓降的相關理論以及計算公式，并分析影響通態(tài)電壓的主要因素：注入大小、少子壽命、基區(qū)厚度以及電流密度等。 本文主要在元件長基區(qū)厚度和少子壽命的比值變化范圍下，分析電導調制效果對元件通態(tài)電壓的影響。大注入條件下，載流子散射作用的增強導致體壓降的增加。少子壽命的增加，體壓降會降低，但是要綜合考慮其他參數(shù)；對于快速元件，少子壽命對通態(tài)壓降和關斷時間的正反影響更要協(xié)調考慮。基區(qū)厚度增加會增加通態(tài)壓降，在保證耐壓的前