單晶黑硅太陽(yáng)能電池性能研究與硅表面制備銀柵線.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、在過(guò)去的半個(gè)多世紀(jì)里,世界光伏產(chǎn)業(yè)取得了快速的發(fā)展,太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率取得了很大提高,生產(chǎn)成本也大幅降低。作為化石能源的替代資源,光伏產(chǎn)業(yè)需要繼續(xù)加大開(kāi)發(fā)力度,但是單純依靠傳統(tǒng)工藝技術(shù)的改進(jìn)很難突破目前發(fā)展遇到的瓶頸。近年來(lái),隨著對(duì)納米光電子技術(shù)的深入研究,科技工作者們嘗試采用各種納米結(jié)構(gòu)和材料來(lái)設(shè)計(jì)新型太陽(yáng)能電池,從而達(dá)到高效率、低成本、高穩(wěn)定性和長(zhǎng)壽命的目的。
  本文以金字塔/納米線雙結(jié)構(gòu)表面的單晶硅片為襯底,根據(jù)太陽(yáng)

2、能電池的成產(chǎn)工藝制備單晶黑硅太陽(yáng)能電池。雖然具有很好的減反射能力,但黑硅太陽(yáng)能電池的平均光電轉(zhuǎn)換效率卻遠(yuǎn)不如普通單晶硅太陽(yáng)能電池。通過(guò)量子效率的測(cè)量,軟件的模擬和瞬態(tài)表面光伏的測(cè)定,來(lái)探究黑硅太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率不理想的原因。另外本文還改進(jìn)了可用于埋柵電池柵線制備的沉積銀薄膜技術(shù)。首先,在硅片表面旋涂保護(hù)涂層,使用激光在硅片表面刻出凹槽;然后,利用金屬納米粒子輔助刻蝕技術(shù),在硅片表面沉積一層銀納米粒子,再將硅片表面的保護(hù)涂層洗去;隨后

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